[发明专利]磁控溅射与多弧离子镀复合式真空镀膜方法

说明书

本发明公开了磁控溅射与多弧离子镀复合式真空镀膜方法，涉及真空镀膜技术领域，为解决现有的真空镀膜设备在对基材进行真空镀膜时速度较慢，容易发生损伤基材的现象，所得的基材成品薄膜附着力较弱，绕射性差的问题。步骤一：先对需要镀膜的基材进行表面处理，将基材表面借助打磨设备打磨后放入清洗池中进行除尘清洗，清洗的过程中在清洗池中滴加一些除油剂对基材表面的油渍进行去除，清洗完后捞出基材，沥干水分后进行烘干操作；步骤二：将烘干后的基材进行底涂加工，借助喷涂机将型号为SZ‑97T的镀膜油喷涂在基材的表面上，尺寸较小的基材可以放入盛有SZ‑97T的镀膜油的浸染池中进行浸涂处理，底涂工作完成后将处理好的基材放在镂空的网架上沥干。

技术领域

本发明涉及真空镀膜技术领域，具体为磁控溅射与多弧离子镀复合式真空镀膜方法。

背景技术

真空镀膜是指在高真空的条件下加热金属或非金属材料，使其蒸发并凝结于镀件表面而形成薄膜的一种方法，例如，真空镀铝、真空镀铬等，真空镀膜是真空应用领域的一个重要方面，它是以真空技术为基础，利用物理或化学方法，并吸收电子束、分子束、离子束、等离子束、射频和磁控等一系列新技术，为科学研究和实际生产提供薄膜制备的一种新工艺。简单地说，在真空中把金属、合金或化合物进行蒸发或溅射，使其在被涂覆的物体上凝固并沉积的方法，称为真空镀膜，真空镀膜是相对于上述的湿式镀膜方法而发展起来的一种新型镀膜技术，通常称为干式镀膜技术，真空镀膜技术一般分为两大类，即物理气相沉积技术和化学气相沉积技术。

现有的真空镀膜设备在对基材进行真空镀膜时速度较慢，容易发生损伤基材的现象，所得的基材成品薄膜附着力较弱，绕射性差，影响真空镀膜基材的成品度，为此，我们提供磁控溅射与多弧离子镀复合式真空镀膜方法。

发明内容

本发明的目的在于提供磁控溅射与多弧离子镀复合式真空镀膜方法，以解决上述背景技术中提出的现有的真空镀膜设备在对基材进行真空镀膜时速度较慢，容易发生损伤基材的现象，所得的基材成品薄膜附着力较弱，绕射性差的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：磁控溅射与多弧离子镀复合式真空镀膜方法，包括以下步骤：

步骤一：先对需要镀膜的基材进行表面处理，将基材表面借助打磨设备打磨后放入清洗池中进行除尘清洗，清洗的过程中在清洗池中滴加一些除油剂对基材表面的油渍进行去除，清洗完后捞出基材，沥干水分后进行烘干操作；

步骤二：将烘干后的基材进行底涂加工，借助喷涂机将型号为SZ-97T的镀膜油喷涂在基材的表面上，尺寸较小的基材可以放入盛有SZ-97T的镀膜油的浸染池中进行浸涂处理，底涂工作完成后将处理好的基材放在镂空的网架上沥干；

步骤三：基材沥干到不滴油的状态后，将基材放入烘干设备内部进行镀膜油的烘干处理，将烘干设备的烘干温度调节到六十摄氏度到七十摄氏度之间，烘干两个小时后，将基材取出放在常温下冷却备用；

步骤四：将常温冷却后的基材放置到真空镀膜设备的内部进行镀膜操作，先将基材放置到右侧的磁控溅射镀膜仓中进行镀膜处理，电子在电场的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子，新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射,在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜；

步骤五：将经过磁控溅射的基材取出放置到真空镀膜设备左侧的多弧离子镀膜仓中，先将真空室抽真空，再接通高压电源，在蒸发源与基片之间建立一个低压气体放电的低温等离子区，基片电极接上5KV直流负高压，从而形成辉光放电阴极，辉光放电区产生的惰性气体离子进入阴极暗区被电场加速并轰击基片表面，对其进行清洗，然后加热使镀料气化，起原子进入等离子区，与惰性气体离子及电子发生碰撞，部分产生离化，离化后的离子及气体离子以较高能量轰击镀层表面，将蒸发物或反应物沉积在基材的表面上；

步骤六：将经过磁控溅射镀膜和多弧离子镀膜后的基材取出，选用910哑光油对基材的镀膜表面进行涂装加工，面涂操作完成后，将面涂后的基材沥干后放入烘干设备中进行烘干，烘干设备的温度控制在五十摄氏度至六十摄氏度之间，烘干完成后取出常温下进行冷却；