[发明专利]一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法

权利要求书

1.一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)等离子清洗镀镍管基：将镀镍管基采用等离子清洗机进行清洗，去除表层上的氧化层和吸附物质；

(2)选取比芯片尺寸略大合金焊片：将所选取的合金焊片置于镀镍管基的芯片焊接区域；

(3)芯片放置：将芯片放于合金焊片正上方；

(4)压块放置：将设定重量的压块放置于芯片的正上方；

(5)放入真空烧焊炉：将放置完合金焊片、芯片及压块的镀镍管基安装于专用夹具上，接着与夹具一起放置于真空烧焊炉的烧焊区域；

(6)抽中真空：开启真空烧焊炉抽真空装置进行抽真空，设置真空度低于100Pa，抽中真空；

(7)加热：当真空烧焊炉真空达到设定值后，开启真空烧焊炉加热装置进行加热，设置温度至合金焊片的焊接温度，按设定的升温曲线进行升温，温度升到设定的焊接温度后进入恒温状态；

(8)输入氮气调节真空度为低真空:温度进入恒温状态时，往真空烧焊炉输入高纯氮气，调节中真空至真空度高于5kPa的低真空环境；

(9)低真空合金焊接：设定合金焊接时间，温度升到设定温度后进行恒温，进行低真空合金焊接；

(10)吹氮气冷却凝固：合金焊结束后，停止加热，采用一定稳定气压的高纯氮气进行吹氮气冷却凝固，保证焊接面的溢料均匀，完成低真空下芯片与镀镍管基的合金焊接。

2.如权利要求1所述的一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法，其特征在于，所述低真空的真空度正比于芯片面积，其关系为：Va＝k·S，其中Va为真空度，k为调节系数，S为芯片面积。

3.如权利要求1所述的一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法，其特征在于，所述压块的重量按芯片面积200mg/mm²左右的重量密度设置。

4.如权利要求1所述的一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法，其特征在于，所述合金焊片为金锡合金焊片，所述金锡合金焊片为Au80Sn20。

5.如权利要求4所述的一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法，其特征在于，所述金锡合金焊片的尺寸比芯片尺寸大0.2mm。

6.如权利要求4所述的一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法，其特征在于，所述金锡合金焊片的合金焊接温度为420℃，合金焊接时间为3分钟。

7.如权利要求1所述的一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法，其特征在于，所述高纯氮气的纯度99.99％以上。

8.如权利要求1所述的一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法，其特征在于，所述低真空的真空度为6kPa至40kPa，优选10kPa。

9.如权利要求1所述的一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法，其特征在于，所述低真空合金焊接方法的焊接空洞率小于5％。

10.如权利要求1所述的一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法，其特征在于，所述吹氮气冷却凝固采用压力值为0.5MPa的高纯氮气。