[发明专利]一种兼容不同DRAM芯片的PCB板及包括其的固态硬盘在审
申请号: | 202011350829.6 | 申请日: | 2020-11-26 |
公开(公告)号: | CN112509625A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 刘福东 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 杨帆;李红萧 |
地址: | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 兼容 不同 dram 芯片 pcb 包括 固态 硬盘 | ||
本发明公开了一种兼容不同DRAM芯片的PCB板,包括以下部件:基板和设置在基板上的SSD控制器;DRAM芯片安装槽,DRAM芯片安装槽配置用于安装不同型号的DRAM芯片;第一电阻,第一电阻连接DRAM芯片安装槽的M9引脚安装位与SSD控制器;第二电阻,第二电阻连接DRAM芯片安装槽的M9引脚安装位与地;第三电阻,第三电阻连接DRAM芯片安装槽的E9引脚安装位与地;以及第四电阻,第四电阻连接DRAM芯片安装槽的T7引脚安装位与地,SSD控制器配置用于确认并根据DRAM芯片安装槽中安装DRAM芯片的型号控制第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻的通断,并根据型号选择M9引脚、E9引脚和T7引脚的状态。本发明还公开了一种包括DRAM芯片和兼容不同DRAM芯片的PCB板的固态硬盘。
技术领域
本发明涉及固态硬盘领域,更具体地,特别是指一种兼容不同DRAM芯片的PCB板和包括该PCB板的固态硬盘。
背景技术
众所周知,与HDD(Hard Disk Drive,机械硬盘)相比,SSD(Solid State Disk,固态硬盘)在速度、功耗、容量、噪声和可靠性等性能方面具有较大优势,在现阶段,尽管前者在价格上有一定优势,但是随着大容量FLASH闪存颗粒的出现,SDD价格也会越来越低,使其更广泛应用于服务器、存储设备中。一般而言,从硬件角度来看,SSD主要由主控制器、NAND闪存、缓存芯片DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存储器)等硬件部分组成。其中,SSD主控制器一般由1颗或者多颗CPU核组成,实现标准前端接口(如PCIe接口)与主机端的通信,与NAND闪存的通信以及运行SSD内部的FTL算法等;NAND闪存控制器负责管理数据,从缓存和闪存中读出和写入数据;DRAM用于SSD运行时负责前后端数据的缓存及信息管理等。而为了SSD的读写性能得到一定保证,NAND Flash与DRAM容量比例至少要1000:1,因而如果单盘NAND容量为2TB/4TB/8TB,需要使用DRAM的缓存存储空间大小分别是2GB/4GB/8GB,对于同一主控芯片而言,如何在1块PCB电路中兼容上述三种DRAM型号是摆在硬件开发人员面前的主要问题。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例的目的在于提出一种兼容不同DRAM芯片的PCB板和包括该PCB板的固态硬盘,主要是通过切换器件的通断及PCB上兼容布线,一块PCB实现多种不同SSD容量的产品,节省了PCB开发的硬件成本,BOM物料管理,提高了SSD产品的成本管控。
基于上述目的,本发明实施例的一方面提供了一种兼容不同DRAM芯片的PCB板,包括如下部件:基板和设置在所述基板上的SSD控制器;DRAM芯片安装槽,所述DRAM芯片安装槽配置用于安装不同型号的DRAM芯片;第一电阻,所述第一电阻连接所述DRAM芯片安装槽的M9引脚安装位与所述SSD控制器;第二电阻,所述第二电阻连接所述DRAM芯片安装槽的M9引脚安装位与地;第三电阻,第三电阻连接所述DRAM芯片安装槽的E9引脚安装位与地;以及第四电阻,第四电阻连接所述DRAM芯片安装槽的T7引脚安装位与地,所述SSD控制器配置用于确认并根据所述DRAM芯片安装槽中安装DRAM芯片的型号控制所述第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻的通断,并根据所述型号选择M9引脚、E9引脚和T7引脚的状态。
在一些实施方式中,所述第三电阻包括第一子电阻和第二子电阻,所述DRAM芯片安装槽的E9引脚安装位分别通过所述第一子电阻和所述第二子电阻与地连接。
在一些实施方式中,所述SSD控制器配置用于响应于所述DRAM芯片为第一型号,控制所述第一电阻、所述第四电阻和所述第二子电阻断开,保持所述第二电阻和所述第一子电阻连通,并将所述DRAM芯片的M9引脚和E9引脚置于第一状态,将T7引脚置于第二状态。
在一些实施方式中,所述SSD控制器配置用于响应于所述DRAM芯片为第二型号,控制所述第二电阻和所述第一子电阻断开,保持所述第一电阻、所述第四电阻和所述第二子电阻连通,并将所述DRAM芯片的M9引脚和E9引脚置于第二状态,将T7引脚置于第一状态。
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