[发明专利]一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法

说明书

本发明公开了一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法，包括以下步骤：A：将硅光电倍增管放置于测试台上电路板上，电路板上设有用于决定硅光电倍增管位置的定位块，硅光电倍增管的导电端与电路板上的导电片紧密接触；B：通过高压电缆将高电压输入到硅光电倍增管电压加载电极，并且通过同轴电缆与硅光电倍增管的阳极引出端连接。本发明通过具备操作简单，利于对输入电压进行控制，利于采集光电倍增管输出的不同强度的脉冲信号，测试精准度高的优点，解决了现有的硅光电倍增管测试方法操作繁琐，不利于对输入电压进行控制，不利于采集光电倍增管输出的不同强度的脉冲信号，使得测试精准度低，不利于测试数据分析的问题。

技术领域

本发明涉及硅光电倍增管测试技术领域，具体为一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法。

背景技术

光电倍增管是将微弱光信号转换成电信号的真空电子器件，光电倍增管用在光学测量仪器和光谱分析仪器中，它能在低能级光度学和光谱学方面测量波长200～1200纳米的极微弱辐射功率，闪烁计数器的出现，扩大了光电倍增管的应用范围，激光检测仪器的发展与采用光电倍增管作为有效接收器密切有关，电视电影的发射和图像传送也离不开光电倍增管，光电倍增管广泛地应用在冶金、电子、机械、化工、地质、医疗、核工业、天文和宇宙空间研究等领域。

现有的硅光电倍增管测试方法操作繁琐，不利于对输入电压进行控制，不利于采集光电倍增管输出的不同强度的脉冲信号，使得测试精准度低，不利于测试数据的分析。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法，具备操作简单，利于对输入电压进行控制，利于采集光电倍增管输出的不同强度的脉冲信号，测试精准度高的优点，解决了现有的硅光电倍增管测试方法操作繁琐，不利于对输入电压进行控制，不利于采集光电倍增管输出的不同强度的脉冲信号，使得测试精准度低，不利于测试数据分析的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法，包括以下步骤：

A：将硅光电倍增管放置与测试台上电路板上，电路板上设有用于决定硅光电倍增管位置的定位块，硅光电倍增管的导电端与电路板上的导电片紧密接触；

B：通过高压电缆将高电压输入到硅光电倍增管电压加载电极，并且通过同轴电缆与硅光电倍增管的阳极引出端连接，接收硅光电倍增管输出的脉冲信号，高压电缆与分压器电连接；

C：硅光电倍增管的极间电压可按前极区，中间区和末极区加以区分，前极区的收集电压最高，使倍增极有高收集率和大次极发射系数，中间级区的各级间具有均匀分布的极间电压，以使管子给出的增益，由于末极区各极，特别是末极区取大电流，避免形成空间电荷效应而使管子失去应有的直线性；

D：硅光电倍增管通过工装安装在密闭箱体内，箱体安装有光源系统，箱体通过光纤与箱体连接，向箱体中导入测试用的脉冲光，照射到硅光电倍增管的光电阴极，硅光电倍增管输出与光脉冲一一对应的周期性不同强度的脉冲信号；

E：电路板电路与ADC采集卡电连接，硅光电倍增管生成的电流信号通过整形放大后直接由高速ADC采集卡采集，ADC采集卡将采集的数据传输给计算机，计算机可以控制信号采集的开始与停止，并离线分析储存数据。

优选的，所述步骤A中电路板上定位块的数量为四个，分别位于硅光电倍增管的左右两侧和前后两侧。

优选的，所述步骤A中导电片一侧与硅光电倍增管的导电端接触，导电片远离硅光电倍增管的一侧焊接后导电弹簧，导电弹簧远离导电片的一侧电路板的导电基点焊接固定。

优选的，所述当硅光电倍增管阳极电流增大到能与分压器电流相比拟时，将会导致末极区间电压的大幅度下降，使硅光电倍增管出现严重的非线性，为防止极间电压的再分配以保证增益稳定，分压器电流调为阳极电流的10倍，对于直线性要求很高的应用场合，分压器电流调为阳极平均电流的100倍。