[发明专利]双色红外焦平面探测器及其台面刻蚀工艺方法

权利要求书

1.一种双色红外焦平面探测器的台面刻蚀工艺方法，所述双色红外焦平面探测器包括衬底（1）和沉积于衬底（1）上的外延结构（2），所述外延结构（2）由下至上依次为电极接触层（21）、第一超晶格材料层（22）、掺杂公共电极层（23）和第二超晶格材料层（24）；

其特征在于，所述双色红外焦平面探测器的台面刻蚀工艺方法包括步骤：

S1，在所述外延结构（2）的第二超晶格材料层（24）上旋涂光刻胶（S）；

S2，使用半色调掩膜版（T）对所述外延结构（2）进行曝光，其中所述半色调掩膜版（T）包括无掩膜区（T1）和半掩膜区（T2），所述外延结构（2）曝光显影后形成与无掩膜区（T1）对应的第一区域（A）和与半掩膜区（T2）对应的第二区域（B）；

S3，将光刻后的外延结构（2）通过刻蚀气体进行第一次干法刻蚀，其中外延结构（2）在第一区域（A）下方的对应部分通过第一次干法刻蚀的刻蚀深度为，到达掺杂公共电极层（23）的内部；

S4，将经过第一次干法刻蚀后的外延结构（2）放入干法去胶机中，通过等离子体对光刻胶（S）进行减薄去胶处理，其中光刻胶（S）的减薄厚度为第二区域下方剩余的光刻胶厚度；

S5，将经由干法去胶机去胶后的外延结构（2）通过刻蚀气体进行第二次干法刻蚀，其中外延结构（2）在第一区域（A）下方的对应部分通过第二次干法刻蚀的刻蚀深度为，+到达电极接触层（21）的内部，外延结构（2）在第二区域（B）下方的对应部分通过第二次干法刻蚀的刻蚀深度为，到达掺杂公共电极层（23）的内部，；

S6，将经过第二次干法刻蚀后的外延结构（2）通过去胶剥离工艺去除光刻胶（S），即完成所述双色红外焦平面探测器的台面刻蚀。

2. 根据权利要求1所述的双色红外焦平面探测器的台面刻蚀工艺方法，其特征在于，

电极接触层（21）为N型电极接触层、第一超晶格材料层（22）为pin长波超晶格材料层或者pin中波超晶格材料层、掺杂公共电极层（23）为P型掺杂公共电极层，第二超晶格材料层（24）为nip中波超晶格材料层或者nip短波超晶格材料层；或者

电极接触层（21）为P型电极接触层、第一超晶格材料层（22）为nip长波超晶格材料层或者nip中波超晶格材料层、掺杂公共电极层（23）为N型掺杂公共电极层，第二超晶格材料层（24）为pin中波超晶格材料层或者pin短波超晶格材料层。

3.根据权利要求1所述的双色红外焦平面探测器的台面刻蚀工艺方法，其特征在于，在步骤S1中，光刻胶（S）的厚度为，且。

4.根据权利要求1所述的双色红外焦平面探测器的台面刻蚀工艺方法，其特征在于，在步骤S2中，第一区域（A）的宽度等于无掩膜区（T1）的宽度，第二区域（B）的宽度等于半掩膜区（T2）的宽度。

5.根据权利要求3所述的双色红外焦平面探测器的台面刻蚀工艺方法，其特征在于，在步骤S2中，外延结构（2）曝光显影后形成的第一区域（A）的深度为，第二区域（B）的深度为，且，。

6.根据权利要求1所述的双色红外焦平面探测器的台面刻蚀工艺方法，其特征在于，掺杂公共电极层（23）的厚度为、第二超晶格材料层（24）的厚度为，在步骤S3中，。

7.根据权利要求6所述的双色红外焦平面探测器的台面刻蚀工艺方法，其特征在于，电极接触层（21）的厚度为、第一超晶格材料层（22）的厚度为，在步骤S5中，。

8.根据权利要求1所述的双色红外焦平面探测器的台面刻蚀工艺方法，其特征在于，掺杂公共电极层（23）的厚度为、第二超晶格材料层（24）的厚度为，在步骤S5中，。