[发明专利]用于制备高氧含量下纯钛EBSD样品的方法

说明书

本发明公开一种用于制备高氧含量下纯钛EBSD样品的方法，其包括：将纯钛切割为形状为立方体的纯钛试样；将高氯酸和无水乙醇进行混合配制电解抛光液；将电解抛光液降温至零下20℃；将直流电源的正极与纯钛试样相连，负极与铝片相连，将直流电源电压调至20V，将铝片与纯钛试样浸入到抛光液中进行抛光处理，纯钛试样与铝片的距离保持在27‑30mm。通过本发明能够制得高标定率的纯钛EBSD样品。

技术领域

本发明涉及金属表面处理技术，尤其涉及一种用于制备高氧含量下纯钛EBSD样品的方法。

背景技术

纯钛或钛合金在经历一定程度变形后会在内部形成择优取向的织构，而电子背散射衍射(Electron Backscatter Diffraction，简称为EBSD)是研究晶粒取向的强有力的技术，它将显微组织与晶体学分析相结合，实现对织构和取向差分析、晶粒尺寸和形状分析、应变和再结晶分析及晶界、亚晶界、孪晶界性质分析等。但是该技术对样品制备质量要求较高，不仅要保证样品表面光洁无划痕，还应保证样品表面无应力层，否则将严重影响EBSD标定率。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种用于制备高氧含量下纯钛EBSD样品的方法，以解决现有技术存在的缺少制备高标定率纯钛EBSD样品的技术。

为了解决上述问题，根据本发明实施例提出一种用于制备高氧含量下纯钛EBSD样品的方法，其包括：将纯钛切割为形状为立方体的纯钛试样；将高氯酸和无水乙醇进行混合配制电解抛光液；将电解抛光液降温至零下20℃；将直流电源的正极与纯钛试样相连，负极与铝片相连，将直流电源电压调至20V，将铝片与纯钛试样浸入到抛光液中进行抛光处理，纯钛试样与铝片的距离保持在27-30mm。

其中，所述纯钛试样的边长为2mm。

其中，所述方法还包括：使用金刚石线切割机切割纯钛试样。

其中，所述电解抛光液的高氯酸和无水乙醇的比例为1:9。

其中，所述方法还包括：使用磁力搅拌器搅拌电解抛光液。

其中，所述方法还包括：使用液氮对电解抛光液进行降温。

其中，所述方法还包括：将电解抛光液降温至零下50℃再升至零下20℃。

其中，所述方法还包括：抛光过程中晃动所述纯钛试样。

其中，抛光时间为6-8min。

根据本发明的技术方案，通过配置包括高氯酸和无水乙醇的电解抛光液，将立方体形状的纯钛试样浸入到零下20℃的抛光液中进行抛光处理，从而能够制得高标定率的纯钛EBSD样品。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是根据本发明实施例的用于制备高氧含量下纯钛EBSD样品的方法的流程图；

图2是根据本发明实施例的制备的含氧量为0.48at％纯钛EBSD样品实验结果图；

图3是根据本发明实施例的制备的含氧量为2.5at％纯钛EBSD样品实验结果图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。