[发明专利]一种OLED器件在线质量检测方法及应用有效
申请号: | 202011353586.1 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112394270B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 刘琳琳;林延锐 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65;G01N21/66;G01N21/64 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 李斌 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 在线 质量 检测 方法 应用 | ||
1.一种OLED器件在线质量检测方法,其特征在于,包括下述步骤:
用起始电压驱动点亮OLED器件,进行EL检测;
使用拉曼光谱仪对OLED器件进行成像,在无激发光源的条件下,收集OLED器件电致发光EL谱信息;
通过峰强信息成像得到EL谱各层EL成像图,确认坏点信息;
基于确认的坏点信息,在缺陷位置采用激光激发,收集记录PL及Raman谱信息;
通过峰强信息成像得到PL及Raman谱信息各层对应缺陷位置的PL及Raman成像图,PL成像图的峰强与活性层聚集程度正相关,Raman成像图的峰强与活性层厚度正相关;
改变激发光源,对OLED器件同一区域采集的多种光谱信息,联合EL、PL及Raman成像图对缺陷形成机理进行分析得到缺陷成因,统计记录缺陷种类,得到质量检测结果。
2.根据权利要求1所述的OLED器件在线质量检测方法,其特征在于,所述通过峰强信息成像得到EL谱各层EL成像图,确认坏点信息,具体步骤包括:
所述EL成像图中每个点包括峰强信息,采用不同颜色表示不同的峰强度值,将成像图中亮度不同的点记录为缺陷点,通过对成像图中的暗点进行计数得到缺陷点数量,并测量得到缺陷点尺寸。
3.根据权利要求1所述的OLED器件在线质量检测方法,其特征在于,所述收集记录PL及Raman谱信息,所述PL及Raman谱信息为多层的混合信号,采用单层谱进行分析。
4.根据权利要求1所述的OLED器件在线质量检测方法,其特征在于,所述通过峰强信息成像得到PL及Raman谱信息各层对应缺陷位置的PL及Raman成像图,具体步骤包括:
采用不同峰强信息成像,采用不同颜色表示不同的峰强度值,得到对应缺陷位置在活性层聚集程度和活性层厚度的差异。
5.根据权利要求1所述的OLED器件在线质量检测方法,其特征在于,所述联合EL、PL及Raman成像图对缺陷形成机理进行分析得到缺陷成因,具体步骤包括:
基于EL成像图记录成像区域的每一个点的发光强度,得到坏点信息,包括坏点的位置、数量及尺寸;
基于PL成像图记录成像区域的每一个点的活性层聚集程度;
基于Raman成像图记录成像区域的每一个点的活性层厚度;
结合坏点信息、活性层聚集程度和活性层厚度得到不同缺陷区域的形成影响因素,并记录为不同的缺陷种类。
6.根据权利要求1所述的OLED器件在线质量检测方法,其特征在于,对OLED器件施加不同的驱动电压,采集不同驱动电压下的PL成像信息,记录不同区域活性层聚集度的变化。
7.根据权利要求1所述的OLED器件在线质量检测方法,其特征在于,所述通过峰强信息成像得到EL谱各层EL成像图,采用629nm峰强成像,所述通过峰强信息成像得到PL及Raman谱信息各层对应缺陷位置的PL及Raman成像图,分别通过629nm和1282cm-1峰强成像,所述OLED器件采用MEH-PPV OLED器件结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011353586.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。