[发明专利]阻变存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器包括：

半导体衬底、第一电极、第一插层、阻变层、第二插层和第二电极，所述第一电极覆盖部分所述半导体衬底，所述第一插层覆盖所述第一电极，并且所述第一插层的电阻率小于所述阻变层的电阻率，所述阻变层覆盖所述第一插层，所述第二插层覆盖所述阻变层，并且所述第二插层与所述阻变层中均具有氧原子，所述第二电极覆盖所述第二插层。

2.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器还包括：形成于所述半导体衬底表面的阻挡层，所述阻挡层中具有贯穿的一开口，所述第一电极填充所述开口，所述第一插层覆盖所述第一电极及部分所述阻挡层。

3.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述第一电极的材质为氮化钽。

4.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述第二电极的材质为氮化钛。

5.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层的材质为氧化钽。

6.一种阻变存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成第一电极、第一插层、阻变层、第二插层和第二电极，所述第一电极覆盖部分所述半导体衬底，所述第一插层覆盖所述第一电极，并且所述第一插层的电阻率小于所述阻变层的电阻率，所述阻变层覆盖所述第一插层，所述第二插层覆盖所述阻变层，并且所述第二插层与所述阻变层中均具有氧原子，所述第二电极覆盖所述第二插层。

7.如权利要求1所述的阻变存储器的制造方法，其特征在于，在提供半导体衬底之后，在所述半导体衬底上形成第一电极之前，所述阻变存储器的制造方法还包括：

形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述半导体衬底；

刻蚀所述阻挡层，以在所述阻挡层中形成贯穿的开口，所述第一电极填充所述开口。

8.如权利要求7所述的阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述第一电极的形成方法包括：

形成第一电极材料层，所述第一电极材料层填充所述开口，并延伸覆盖所述阻挡层表面；

平坦化所述第一电极材料层至所述阻挡层表面，以形成第一电极。

9.如权利要求1所述的阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述第一插层和所述第二插层的厚度均为3nm～15nm。

10.如权利要求1所述的阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底包括一层间介质层和金属层，所述层间介质层中具有开槽，所述金属层填充所述开槽，所述第一电极对准所述金属层。