[发明专利]一种晶圆切片加工除尘设备

说明书

本发明公开了一种晶圆切片加工除尘设备，其结构包括电机、传动箱、外罩、冲洗头、切片底座、挡板，电机下端与传动箱后端上侧嵌固连接，传动箱右侧与外罩左侧嵌固连接，外罩后端与冲洗头上端活动卡合，旁护板在旋转时通过惯性将固定框内部的重力球向外侧甩出，随后连接杆推动连接轴将主杆绕转轴旋转通过倾斜板将冲洗头喷出的去离子水进行缓冲，降低了去离子水对晶圆表面芯片的冲击力，去离子水撞击到卡合头外侧的减速块被减速，随后通过弹片进行吸收能量，同时通过泄力孔分散了部分去离子水的流动，降低了去离子水对晶圆表面的撞击，分散了去离子水对晶圆的撞击，降低了玻璃结晶对晶圆表面的压力，减少了对晶圆的伤害，提高了产品的合格率。

技术领域

本发明属于用于芯片的晶圆切片机领域，更具体的说，尤其涉及到一种晶圆切片加工除尘设备。

背景技术

晶圆是用于生产硅半导体集成电路的硅晶片，在晶圆表面通过光刻机刻下电路后需要将光刻完的晶圆切割成芯片大小，切割的过程可通过切割机或者激光切割进行，在切割的过程中都会产生碎屑或者是高温灰烬影响了芯片表面的电路封装，通过晶圆切片加工除尘设备能够达到将切割完的碎屑和灰烬进行清理的效果，但是由于清理过程中需要不断的通过去离子水对晶圆表面进行冲洗，在通过激光对晶圆进行切割的工艺中，由于激光切割晶圆会使得晶圆中的硅单质在高温下形成二氧化硅，随后通过去离子水清洗会形成玻璃状结晶在晶圆表面滚动，随后水流的冲击力会导致玻璃结晶在晶圆表面形成压痕，导致晶圆内部产生形变，降低了晶圆晶粒的成品率。

发明内容

为了解决上述技术激光切割晶圆会使得晶圆中的硅单质在高温下形成二氧化硅，随后通过去离子水清洗会形成玻璃状结晶在晶圆表面滚动，随后水流的冲击力会导致玻璃结晶在晶圆表面形成压痕，本发明提供一种晶圆切片加工除尘设备。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种晶圆切片加工除尘设备，其结构包括电机、传动箱、外罩、冲洗头、切片底座、挡板，所述电机下端与传动箱后端上侧嵌固连接，所述传动箱右侧与外罩左侧嵌固连接，所述外罩后端与冲洗头上端活动卡合，所述切片底座与外罩中部轴连接，所述挡板与外罩左侧上端焊接连接，所述切片底座包括外壳、升降座、吸盘、旁护板，所述外壳底部上侧与升降座下侧相贴合，所述吸盘下端与升降座上端螺纹配合，所述旁护板与升降座外侧上端相贴合。

作为本发明的进一步改进，所述旁护板包括固定框、重力球、弹簧、弧形杆、突出块，所述固定框下侧与升降座上侧相贴合，所述重力球右侧与弧形杆左侧焊接连接，所述弹簧焊接连接在弧形杆右侧与固定框右端左侧之间，所述弧形杆上端与突出块下端间隙配合，所述突出块右侧与固定框右端左侧相贴合，所述重力球内部为实心，并且材质采用铅块材质，具有质量重体积小的特点。

作为本发明的进一步改进，所述突出块包括固定块、连接杆、顶板，所述固定块右侧与固定框右端左侧相贴合，所述连接杆轴连接在弧形杆上端与顶板右侧中部之间，所述顶板上端与固定块左端上侧轴连接，所述固定块下端中部为空心结构，并且空心结构的大小与弧形杆直径相同。

作为本发明的进一步改进，所述顶板包括转轴、连接轴、主杆、倾斜板，所述转轴与固定块左端轴连接，所述连接轴与主杆右端下侧相贴合，所述主杆右端与转轴左侧焊接连接，所述倾斜板与主杆内部轴连接，所述倾斜板数量为八个，并且在主杆下侧呈直线分布。

作为本发明的进一步改进，所述倾斜板包括卡合头、减速块、弹片，所述卡合头上端与主杆内部轴连接，所述减速块与卡合头外侧焊接连接，所述弹片焊接连接在减速块与卡合头外侧之间，所述减速块形状为弧形，并且材质为橡胶材质，具有能够吸收振动的特点。

作为本发明的进一步改进，所述减速块包括固定轴、主体板、泄力孔，所述固定轴与卡合头外侧轴连接，所述主体板左侧与固定轴右侧活动卡合，所述泄力孔与主体板内部嵌固连接，所述泄力孔数量为四个，并且呈平行分布。

有益效果

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：