[发明专利]一种雾化片驱动架构及驱动方法

权利要求书

1.一种雾化片驱动架构，其特征在于：所述雾化片驱动架构包括驱动装置和雾化片，所述驱动装置以它激震荡的方式推动雾化片达到震动的频率，所述驱动装置中采用单电源驱动雾化片，所述驱动装置包括各式电压保护架构、相位侦测保护架构、过电流保护架构，所述电压保护架构进行电压侦测，当升压电位超过设定值时,透过调变驱动频率降低电压或关闭雾化片驱动讯号；所述相位侦测保护架构进行相位侦测，当相位异常发生时可立即做各式保护操作或立即关闭雾化片驱动控制讯号，所述过电流保护架构进行电位监控和过电流保护，当过流异常发生时关闭雾化片驱动控制讯号；

所述雾化片驱动架构的电路连接为：二极管D11的正极与地和电阻R20的第二端电性连接，电阻R20的第一端与二极管D11的负极、内置逻辑比较器CMP5的负极和电阻R19的第二端电性连接，所述电阻R19的第一端与电感L12的第二端、开关N-MOS管Q11的D极、电容C10的第一端、雾化片Y11的第一端电性连接，所述电感L12的第一端与+12V输入电压、电感L11的第一端、电阻R1的第一端电性连接，所述电阻R1的第二端与电阻R2的第一端和内置逻辑比较器CMP2的负极电性连接，所述电感L11的第二端与雾化片Y11的第二端、电容C11的第一端、开关NMOS管Q12的D极、电阻R15的第一端电性连接，所述电阻R15的第二端与电阻R16的第一端、二极管D10的负极、内置逻辑比较器CMP3的负极电性连接，所述电阻R16的第二端与地和二极管D10的正极、电阻R14的第一端电性连接，电阻R14的第二端与电容C17的第一端和放大器的第一端电性连接，所述放大器的第二端与内置类比数位转换器的第一端电性连接，所述内置类比数位转换器的第二端与内置逻辑比较器CMP4的负极电性连接，所述开关N-MOS管Q11的S极、开关N-MOS管Q11的S极与地电性连接，所述内置逻辑比较器CMP2、内置逻辑比较器CMP3、内置逻辑比较器CMP4和内置逻辑比较器CMP5经过处理后形成可变脉宽调变输出的驱动架构。

2.根据权利要求1所述的一种雾化片驱动架构，其特征在于：所述电压保护架构包括比较器CMP，所述相位侦测保护架构包括比较器CMP，所述过电流保护架构包括放大器、类比数位转换器和比较器，所述驱动装置还包括开关NMOS管、电容、电感、微控制器、可变脉宽调变输出，所述雾化片驱动架构及方法可以通过控制可变脉宽调变输出的占空比,或是可变脉宽调变输出的死区大小控制输出的驱动波形；

所述电容和电感的可调节范围为电压输出需求，所述微控制器包括微控制单元，所述微控制单元驱动可变脉宽调变输出，所述可变脉宽调变输出控制震荡频率；所述放大器提供侦测驱动电流所需,并提供内置放大倍数设定；所述比较器提供侦测驱动电压所需,并提供内置过压次数设定。

3.根据权利要求1所述的一种雾化片驱动架构，其特征在于：所述雾化片驱动架构的电路还包括电感L10，所述电感L10的第一端与雾化片Y11的第一端电性连接，所述电感L10的第二端与雾化片Y11的第二端电性连接。