[发明专利]一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜，其特征在于，包括依次连接的硅衬底、ITO薄膜L1层、BZO薄膜L2层、ITO薄膜L3层。

2.权利要求1所述的一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在金字塔绒面硅衬底上采用磁控溅射方法生长10-20nm厚的ITO薄膜L1层；

S2、在ITO薄膜L1层上采用LPCVD方法生长的40-60nm厚的BZO薄膜L2层；

S3、在BZO薄膜L2层上采用磁控溅射方法生长10-20nm厚的ITO薄膜L3层；获得复合透明导电薄膜。

S4、将上述复合透明导电薄膜进行高温退火。

3.根据权利要求2所述的一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，在金字塔绒面硅衬底上生长的ITO薄膜L1层的靶材为ITO靶材，其中In、Sn的重量比为5:95-10:90；在金字塔单晶硅绒面衬底上生长ITO薄膜L1层的温度为室温；磁控溅射的功率密度在30mW/cm²-60mW/cm²；磁控溅射的气氛在0.4Pa-0.6Pa之间。

4.根据权利要求2所述的一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜的制备方法，在所述步骤S1中，生长所述ITO薄膜L1层的磁控溅射的气氛为Ar与O₂与H₂的混合气氛，且H₂与Ar的流量比介于1:80和1:125之间，O₂与Ar的流量比介于1:40和1:60之间。

5.根据权利要求2所述的一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜的制备方法，在所述步骤S2中，生长所述BZO薄膜L2层的温度为170-190℃；气压为50-200Pa。

6.根据权利要求2所述的一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜的制备方法，在所述步骤S2中，生长所述BZO薄膜L2层的气氛为B₂H₆、DEZ以及H₂O，且B₂H₆与H₂O的流量比在介于1:2-1:6之间，DEZ与H₂O的流量比在1:1-1:2之间。

7.根据权利要求2所述的一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜的制备方法，在所述步骤S3中，生长所述ITO薄膜L3层的靶材为ITO靶材，其中In、Sn的重量比为5:95-10:90；生长所述ITO薄膜L3层的温度为室温；磁控溅射的功率密度在30mW/cm²-60mW/cm²；磁控溅射的气氛在0.4Pa-0.6Pa之间。

8.根据权利要求2所述的一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜的制备方法，所述步骤S3中，生长所述ITO薄膜L3层的磁控溅射的气氛为Ar与O₂与H₂的混合气氛，且H₂与Ar的流量比介于1:80和1:125之间。O₂与Ar的流量比介于1:40和1:60之间。

9.根据权利要求2所述的一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜的制备方法，生长所述ITO薄膜L3层的气氛中O₂与Ar的流量比高于生长ITO薄膜L1层的O₂与Ar的流量比。

10.根据权利要求2所述的一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜的制备方法，所述步骤S4中，退火温度为180-200℃，退火气氛为大气气氛，退火时间为15-30min。