[发明专利]一种提高高丰度铈磁体晶界扩散效果的方法

权利要求书

1.一种提高高丰度铈磁体晶界扩散效果的方法，包括两级扩散，其特征在于，包括：

(1)铈磁体晶界扩散处理：熔炼质量比PrNd_0.86Cu_0.1Ga_0.04合金铸片，氢碎后磨制成粉末，将粉末和溶剂混合，涂覆于含铈磁体，将涂敷过镨、钕合金的产品放置于钼料盒中，高温扩散；

(2)铈磁体晶界二级扩散处理：熔炼质量比Tb_0.88PrNd_0.04Fe_0.04Al_0.02Ga_0.02合金铸片，氢碎后磨制成粉末，将粉末和溶剂混合，涂覆于步骤(1)处理好的产品表面，再将涂敷过铽合金的产品放置于钼料盒中，高温扩散得到最终产品。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(1)所述熔炼PrNd_0.86Cu_0.1Ga_0.04合金铸片，氢碎后经过气流磨制成粒度3um-9um的粉末。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(1)所述PrNd_0.86Cu_0.1Ga_0.04粉末与溶剂的质量体积比为1-2g/ml。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(1)、(2)所述溶剂选自乙醚或乙醇的一种或两种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(1)扩散温度为700-850℃，扩散时间为3-6h。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(1)扩散后的产品经过磨床、酸洗去除表面氧化皮后再进行二级扩散处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(2)熔炼Tb_0.88PrNd_0.04Fe_0.04Al_0.02Ga_0.02合金铸片，氢碎后经过气流磨制成粒度2um-6um的粉末。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(2)Tb_0.88PrNd_0.04Fe_0.04Al_0.02Ga_0.02粉末与溶剂的质量体积比为1-2g/ml。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(2)扩散温度为870-950℃，扩散时间为5-11h；待产品冷却至60℃以下，再升温至450-530℃并保温2-4h。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：含铈磁体选取质量占比5-20％的含铈磁体，切片，依次经过除油，酸洗至产品表面洁净处理；酸性试剂为质量百分比3-5％的稀硝酸；优选的，步骤(1)、(2)涂敷合金均为4～8mg/cm²。