[发明专利]一种用于控制界面处金属间化合物生长的低熔点焊料在审
申请号: | 202011355379.X | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112658526A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 刘影夏;蒲力 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | B23K35/26 | 分类号: | B23K35/26 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 张洁;周蜜 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 控制 界面 金属 化合物 生长 熔点 焊料 | ||
1.一种用于控制界面处金属间化合物生长的低熔点焊料,其特征在于:以所述焊料的总质量为100%计,所述焊料的组成及其质量百分数为Bi:30-58%;In:0-30%;Zn:0.8-2.0%;余量为Sn。
2.如权利要求1所述的一种用于控制界面处金属间化合物生长的低熔点焊料,其特征在于:所述焊料中Sn的质量分数为15-43%。
3.如权利要求1所述的一种用于控制界面处金属间化合物生长的低熔点焊料,其特征在于:所述焊料中Sn的质量分数为30-43%。
4.如权利要求1所述的一种用于控制界面处金属间化合物生长的低熔点焊料,其特征在于:所述焊料中Zn的质量分数为0.8-1%。
5.如权利要求1所述的一种用于控制界面处金属间化合物生长的低熔点焊料,其特征在于:所述焊料中Sn的质量分数为30-43%,所述焊料中Zn的质量分数为0.8-1%。
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