[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，其具有能够降低电感的连接机构。电容器具有包括电容器元件的壳体、第一连接端子、第二连接端子、以及设置于第一连接端子与第二连接端子之间的第二绝缘片，第一连接端子、第二绝缘片和第二连接端子从壳体向外部延伸出。半导体模块具有第一功率端子、第一绝缘片和第二功率端子依次重叠而成的端子层叠部。该第一功率端子具有与第一连接端子导电连接的第一接合区，该第二功率端子具有与第二连接端子导电连接的第二接合区，该第一绝缘片具有在俯视时向从第二接合区朝向第一接合区的方向延伸的平台部。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

半导体装置具有半导体模块和电容器。半导体模块与电容器电连接。半导体模块包括功率器件，并具有例如电力转换功能。功率器件例如是IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。在这样的半导体装置中，半导体模块的P端子和N端子与电容器的P端子和N端子通过母线连接。为了使连接工序容易进行，此时的连接通过螺纹固定来进行。但是，在这样的连接方法中，有时半导体模块与电容器之间的布线长度会变长。如此，存在电感增大这样的问题。因此，提出了不使用螺纹固定而能够更简便地连接并降低电感的连接方法(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-234694号公报

发明内容

技术问题

根据专利文献1的记载，在半导体模块侧的连接机构，能够期待电感的降低。但是，对于电容器侧的连接机构并未具体记载。因此，认为无法期待电感的降低，并且作为整个半导体装置，电感的降低效果也小。

本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于提供一种具有能够降低电感的连接机构的半导体装置。

技术方案

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，其是包括电容器和半导体模块的半导体装置，上述电容器具有壳体、第一连接端子、第二连接端子、以及设置于上述第一连接端子与上述第二连接端子之间的挠性绝缘部件，上述壳体包括电容器元件，上述第一连接端子、上述挠性绝缘部件和上述第二连接端子从上述壳体向外部延伸出，上述半导体模块具有第一功率端子、第一绝缘部件和第二功率端子依次重叠而成的端子层叠部，上述第一功率端子具有与上述第一连接端子导电连接的第一接合区，上述第二功率端子具有与上述第二连接端子导电连接的第二接合区，上述第一绝缘部件具有在俯视时向从上述第二接合区朝向上述第一接合区的方向延伸的平台部。

技术效果

根据公开的技术，能够降低半导体模块与电容器之间的电感。

附图说明

图1是第一实施方式的半导体装置。

图2是第一实施方式的半导体模块。

图3是由第一实施方式的半导体装置的半导体模块构成的等效电路。

图4是第一实施方式的电容器。

图5是示出第一实施方式的半导体装置所包含的连接机构的截面图。

图6是用于说明第一实施方式的半导体装置的连接方法的截面图(其一)。

图7是用于说明第一实施方式的半导体装置的连接方法的立体图(其一)。

图8是用于说明第一实施方式的半导体装置的连接方法的截面图(其二)。

图9是用于说明第一实施方式的半导体装置的连接方法的立体图(其二)。