[发明专利]刻蚀量监控方法及监控模块在审
| 申请号： | 202011355737.7 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112490154A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 钱凯;陆连;李全波 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 监控 方法 模块 | ||
1.一种刻蚀量监控方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在被刻蚀对象中加入反馈离子，反馈离子深度与计划刻蚀深度一致；
S2，执行刻蚀，同时持续检测反馈离子信号；
S3，当反馈离子信号衰减为零，则到达计划刻蚀深度。
2.如权利要求1所述的刻蚀量监控方法，其特征在于：通过离子注入将反馈离子注入到被刻蚀对象中。
3.如权利要求1所述的刻蚀量监控方法，其特征在于：反馈离子信号包括注入反馈离子的信号、反馈离子与被对象复合信号或反馈离子与刻蚀气体复合信号。
4.如权利要求1所述的刻蚀量监控方法，其特征在于：其能用于20nm、22nm、28nm、32nm、40nm或45nm刻蚀工艺中。
5.如权利要求1所述的刻蚀量监控方法，其特征在于：其能用于半导体逻辑器件刻蚀工艺中。
6.一种刻蚀量监控模块，其能集成于半导体刻蚀机台，其特征在于，包括：
反馈离子注入模块，其用于在被刻蚀对象中注入反馈离子，反馈离子深度与计划刻蚀深度一致；
检测模块，其用于在执行刻蚀同时持续检测反馈离子信号；
控制模块，其用于当反馈离子信号衰减为零，则到达计划刻蚀深度控制停止刻蚀。
7.如权利要求1所述的刻蚀量监控模块，其特征在于：反馈离子信号包括注入反馈离子的信号、反馈离子与被对象复合信号或反馈离子与刻蚀气体复合信号。
8.如权利要求1所述的刻蚀量监控模块，其特征在于：其能用于20nm、22nm、28nm、32nm、40nm或45nm刻蚀工艺中。
9.如权利要求1所述的刻蚀量监控模块，其特征在于：其能用于半导体逻辑器件刻蚀工艺中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
