[发明专利]提高逐次逼近型模数转换器参考电压稳定性的电路在审

专利信息
申请号: 202011356870.4 申请日: 2020-11-27
公开(公告)号: CN112187274A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 杜翎;吴霜毅;李昌红 申请(专利权)人: 成都铭科思微电子技术有限责任公司
主分类号: H03M1/46 分类号: H03M1/46;H03M1/06
代理公司: 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 代理人: 贾波
地址: 610000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 提高 逐次 逼近 型模数 转换器 参考 电压 稳定性 电路
【权利要求书】:

1.提高逐次逼近型模数转换器参考电压稳定性的电路,包括P端DAC(102)、N端DAC(104)、比较器(106)、SAR逻辑电路(108)及参考电压产生电路(110),其特征在于:还包括参考电压补偿电路(112),所述参考电压补偿电路(112)设置编码电路(302)、补偿电容控制电路(304)及补偿电容阵列(306),所述编码电路(302)接入SAR逻辑电路(108)的输出信号,编码电路(302)输出的编码信号作为补偿电容控制电路(304)的输入信号,补偿电容控制电路(304)的输出信号作为补偿电容阵列(306)的电容切换控制信号,参考电压产生电路(110)与补偿电容阵列(306)相连接。

2.根据权利要求1所述的提高逐次逼近型模数转换器参考电压稳定性的电路,其特征在于:所述SAR逻辑电路(108)的输出信号内ADC输出码字的高M位作为编码电路(302)的输入信号;

所述编码电路(302)输出的编码信号为2M-1个温度计编码;

所述补偿电容控制电路(304)输出信号为2M-1个温度计编码;

所述补偿电容阵列(306)设置有2M-1个补偿电容,且所有补偿电容的一个极板接地,另一个极板分别通过两个开关与参考电压产生电路(110)的参考电压VREF和参考地REFGND相连接,且两个开关通过补偿电容控制电路(304)输出的2M-1个温度计编码进行切换控制。

3.根据权利要求1所述的提高逐次逼近型模数转换器参考电压稳定性的电路,其特征在于:所述补偿电容控制电路(304)包括或门阵列(404)和SR锁存器阵列(406),或门阵列(404)的同一输入端接入编码电路(302)输出的编码信号,或门阵列(404)的输出信号作为SR锁存器阵列(406)的S端输入信号,SR锁存器阵列(406)的输出信号作为补偿电容阵列(306)的电容切换控制信号。

4.根据权利要求1所述的提高逐次逼近型模数转换器参考电压稳定性的电路,其特征在于:所述编码电路(302)的输入和输出皆为二进制编码。

5.根据权利要求1~4任一项所述的提高逐次逼近型模数转换器参考电压稳定性的电路,其特征在于:所述P端DAC(102)的输出端和N端DAC(104)的输出端分别连接比较器(106)的两个输入端,比较器(106)的输出连接SAR逻辑电路(108),SAR逻辑电路(108)控制连接P端DAC(102)及N端DAC(104)。

6.根据权利要求1~4任一项所述的提高逐次逼近型模数转换器参考电压稳定性的电路,其特征在于:在所述P端DAC(102)上对模拟输入信号进行采样,在N端DAC(104)上对信号地进行采样。

7.根据权利要求1~4任一项所述的提高逐次逼近型模数转换器参考电压稳定性的电路,其特征在于:所述P端DAC(102)、N端DAC(104)都采用相同的DAC电路结构,且所述DAC电路结构包括量化电容阵列(202)、采样电容阵列(204)及开关SG,所述量化电容阵列(202)的所有电容的上极板和采样电容阵列(204)所有电容的上极板共接且作为DAC电路结构的输出,量化电容阵列(202)所有电容的下极板分别通过两个开关与参考电压产生电路(110)的参考电压VREF和参考地REFGND相连接,采样电容阵列(204)所有电容的下极板分别通过两个开关与DAC电路结构的输入信号和参考地REFGND相连接,量化电容阵列(202)的最高位电容的上极板与地之间连接开关SG

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