[发明专利]红外热电堆阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 202011357595.8 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN114566585A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 荆二荣;徐德辉 | 申请（专利权）人： | 上海烨映微电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/34;H01L21/3065;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红外 热电 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种红外热电堆阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供衬底，且所述衬底的正面形成有呈阵列分布的红外热电偶；
于所述衬底的背面形成介质层，并对所述介质层进行图形化，形成图形化的介质层，所述图形化的介质层分为外缘介质层及内部介质层，所述外缘介质层及所述内部介质层与相邻的所述内部介质层之间形成释放槽刻蚀窗口，所述释放槽刻蚀窗口呈阵列分布，每个所述释放槽刻蚀窗口与相应的红外热电偶的热结区对应；
采用光刻工艺于所述外缘介质层上形成光刻胶层；
藉由所述释放槽刻蚀窗口采用深反应离子刻蚀工艺刻蚀所述衬底，刻蚀至第一预设深度；
去除所述内部介质层；
采用深反应离子刻蚀工艺刻蚀所述外缘介质层内部裸露出的所述衬底，刻蚀至裸露出所述衬底正面的所述红外热电偶，以在所述外缘介质层内部形成呈阵列分布的凸台，相邻所述凸台之间及所述凸台与外缘的所述衬底之间形成释放槽，所述凸台作为所述红外热电偶的冷结区。
2.根据权利要求1所述的红外热电堆阵列的制备方法，其特征在于：所述衬底为硅衬底，所述介质层为氧化硅介质层。
3.根据权利要求2所述的红外热电堆阵列的制备方法，其特征在于：采用热氧化工艺形成所述氧化硅介质层。
4.根据权利要求3所述的红外热电堆阵列的制备方法，其特征在于：所述热氧化工艺的温度介于1180℃～1200℃之间，所述氧化硅介质层的厚度介于0.7μm～0.9μm之间。
5.根据权利要求2所述的红外热电堆阵列的制备方法，其特征在于：所述硅衬底的厚度介于400μm～700μm之间。
6.根据权利要求5所述的红外热电堆阵列的制备方法，其特征在于：所述凸台的厚度介于10μm～100μm之间，所述凸台的宽度介于40μm～50μm之间。
7.根据权利要求1所述的红外热电堆阵列的制备方法，其特征在于：采用干法刻蚀工艺或湿法腐蚀工艺去除所述内部介质层。
8.根据权利要求1所述的红外热电堆阵列的制备方法，其特征在于：所述红外热电偶的支撑结构为氮化硅-氧化硅-氮化硅的三明治结构。
9.一种红外热电堆阵列，其特征在于：采用如权利要求1至8中任意一项所述红外热电堆阵列的制备方法制备而成。
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