[发明专利]感光器件及显示面板在审
申请号: | 202011358092.2 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112510110A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 王海军;张鑫;江淼;姚江波 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L27/146 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王芳芳 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光 器件 显示 面板 | ||
1.一种感光器件,所述感光器件包括一基底和位于所述基底上的一感光功能层,其特征在于,所述感光功能层包括一薄膜晶体管层和一量子点层,其中所述量子点层被配置为在一外部光的激发下发射出激发光。
2.如权利要求1所述的感光器件,其特征在于,所述薄膜晶体管层位于所述量子点层背离所述基底的表面上,并且所述薄膜晶体管层被配置为用于吸收入射至其表面的所述外部光或所述激发光进行光电转换动作。
3.如权利要求1所述的感光器件,其特征在于,所述薄膜晶体管层位于所述量子点层和所述基底之间,并且所述薄膜晶体管层被配置为用于吸收入射至其表面的所述外部光或所述激发光进行光电转换动作。
4.如权利要求1所述的感光器件,其特征在于,在所述基底朝向或背离所述感光功能层的表面上设置有一遮光层。
5.如权利要求1所述的感光器件,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括非晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管中的至少一种。
6.如权利要求1所述的感光器件,其特征在于,所述量子点层包括一黏胶层以及填充于所述黏胶层中的量子点。
7.如权利要求1所述的感光器件,其特征在于,所述量子点层被配置为在外部光的激发下发射出预设波长范围内的所述激发光;
所述薄膜晶体管层对所述激发光的吸收强度最高。
8.如权利要求1至7中任一项所述的感光器件,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括:
栅极,设置于所述基底或所述量子点层上;
第一绝缘层,位于所述栅极上并覆盖所述栅极、以及所述基底或所述量子点层;
有源层,位于所述第一绝缘层上并覆盖所述第一绝缘层;
源极和漏极,设置于所述有源层上并分别位于所述有源层的相对的两个边缘区域;
第二绝缘层,设置于所述源极和所述漏极上并覆盖所述源极、所述漏极和所述有源层;以及,
第一电极和第二电极,设置于所述第二绝缘层上并分别位于所述第二绝缘层的对应所述源极和所述漏极的区域内,并且所述第二电极电性连接于所述漏极。
9.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1-8中任一项所述的感光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的