[发明专利]半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括上电极组件、工艺腔室以及功率调整组件，所述工艺腔室中设置有用于承载待加工件的卡盘，其中，

所述上电极组件用于在所述工艺腔室中激发等离子体；

所述功率调整组件用于检测所述卡盘上表面的偏置电压，并在所述偏置电压与目标偏置电压的差值大于等于预设阈值时，根据所述差值调节所述上电极组件的功率，直至所述差值小于所述预设阈值。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述功率调整组件包括电压比较器和电压传感器，其中，

所述电压传感器用于检测所述卡盘上表面的所述偏置电压，并将所述偏置电压的数值发送至所述电压比较器；

所述电压比较器用于比较所述偏置电压与所述目标偏置电压，在所述偏置电压低于所述目标偏置电压，且所述偏置电压与所述目标偏置电压的差值大于所述预设阈值时，减小所述上电极组件的功率；在所述偏置电压高于所述目标偏置电压，且所述偏置电压与所述目标偏置电压的差值大于所述预设阈值时，增大所述上电极组件的功率；在所述偏置电压与所述目标偏置电压的差值小于等于所述预设阈值时，保持所述上电极组件的功率。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述电压比较器调节所述上电极组件功率的调节幅度与所述偏置电压和所述目标偏置电压的差值正相关。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述电压比较器用于判断所述差值对应的差值区间，并根据该差值区间对应的调节幅度调节所述上电极组件的功率。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述电压比较器用于在所述差值大于等于50％所述目标偏置电压时，按照第一调节幅度调节所述上电极组件的功率；在所述差值大于等于20％所述目标偏置电压且小于50％所述目标偏置电压时，按照第二调节幅度调节所述上电极组件的功率；在所述差值大于等于5％所述目标偏置电压且小于20％所述目标偏置电压时，按照第三调节幅度调节所述上电极组件的功率；在所述差值大于等于1％所述目标偏置电压且小于5％所述目标偏置电压时，按照第四调节幅度调节所述上电极组件的功率；其中，所述第一调节幅度大于所述第二调节幅度，所述第二调节幅度大于所述第三调节幅度，所述第三调节幅度大于所述第四调节幅度。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一调节幅度大于等于50W，所述第二调节幅度大于等于20W，所述第三调节幅度大于等于5W，所述第四调节幅度大于等于1W。

7.根据权利要求5所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述预设阈值为1％所述目标偏置电压。

8.根据权利要求2至7中任意一项所述的半导体工艺设备，其特征在于，在所述卡盘的上表面为陶瓷材料层时，所述电压传感器用于检测所述陶瓷材料层的射频电压，并根据预设的对应关系将所述射频电压转换为所述偏置电压。

9.根据权利要求2至7中任意一项所述的半导体工艺设备，其特征在于，在所述卡盘的上表面为金属层时，所述电压传感器用于检测所述金属层的直流电压，所述直流电压即为所述偏置电压。

10.根据权利要求2至7中任意一项所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述功率调整组件还包括模数转换器，所述模数转换器用于将所述电压传感器以模拟信号发送的所述偏置电压的数值转换为数字信号，并发送至所述电压比较器。