[发明专利]一种热发电装置及其制备方法

权利要求书

1.一种热发电装置，其特征在于，包括分别掺杂于柔性基板(5)两侧表面的P型半导体(2)和N型半导体(3)，以及封装柔性基板(5)的第一柔性绝缘膜(1)和第二柔性绝缘膜(4)，P型半导体(2)和N型半导体(3)形成P-N对，引出导线(6)连接P型半导体(2)和N型半导体(3)，所述柔性基板(5)呈波浪形，所述P型半导体(2)和N型半导体(3)位于柔性基板(5)的峰脊。

2.根据权利要求1所述的一种热发电装置，其特征在于，所述P型半导体(2)有多个，所述N型半导体(3)有多个，多个所述P型半导体(2)与多个所述N型半导体(3)形成多个P-N对，多个所述P-N对串联，多个所述P型半导体(2)与多个所述N型半导体(3)在峰谷形成缝隙。

3.根据权利要求2所述的一种热发电装置，其特征在于，多个所述P型半导体(2)与多个所述N型半导体(3)沿峰脊等间距间隔排列。

4.根据权利要求1所述的一种热发电装置，其特征在于，所述的P型半导体(2)为碲化铋掺杂锑，所述N型半导体(3)为碲化铋掺杂硒。

5.根据权利要求1所述的一种热发电装置，其特征在于，所述的柔性基板(5)为聚酰亚胺柔性基板。

6.根据权利要求1所述的一种热发电装置，其特征在于，所述的第一柔性绝缘膜(1)为PDMS膜，所述第二柔性绝缘膜(4)为PDMS膜。

7.根据权利要求7所述的一种热发电装置，其特征在于，所述的第一柔性绝缘膜(1)和第二柔性绝缘膜(4)通过热压工艺对柔性基板(5)进行封装。

8.一种权利要求1-7任一所述热发电装置的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

S1：在柔性基板(5)一侧表面旋涂光刻胶正胶；

S2：盖上掩膜板用紫外光照射柔性基板(5)；

S3：对紫外光照射后的柔性基板(5)进行前烘，改变光刻胶的特性使正胶变负胶，进行显影操作；

S4：显影后，在柔性基板(5)的表面掺杂P型半导体(2)；

S5：利用lift-off工艺对剩余的光刻胶和P型半导体(2)进行剥离，得到一次结构；

S6：在一次结构基础上，将掩膜板翻转，重复步骤S1-S5，表面掺杂N型半导体(3)，形成P-N对；

S7：通过真空热处理使柔性基板(5)成为波浪形；

S8：引出导线(6)连接P型半导体(2)和N型半导体(3)；

S9：采用第一柔性绝缘膜(1)和第二柔性绝缘膜(4)对柔性基板(5)进行封装，得到热发电装置。

9.根据权利要求8所述的一种制备方法，其特征在于，S7中将柔性基板(5)粘附在波形形状的载板上，通过真空热处理，使柔性基板(5)形成波浪形。