[发明专利]一种宽带青光发射的CsCdCl3有效

专利信息
申请号: 202011358588.X 申请日: 2020-11-27
公开(公告)号: CN112266784B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 焦桓;林继周;师赫;白从瑞;韩星;魏恒伟;王晓明;徐玲 申请(专利权)人: 烟台希尔德材料科技有限公司
主分类号: C09K11/61 分类号: C09K11/61;H01L33/50
代理公司: 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙) 37234 代理人: 金丽丽
地址: 265500 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 宽带 青光 发射 cscdcl base sub
【权利要求书】:

1.一种宽带青光发射的CsCdCl3:xSb3+单晶,其特征在于:其化学通式为CsCdCl3:xSb3+其中0.005≤x≤0.1;其发射波长位于400~650 nm,激发波长为200~380 nm。

2.根据权利要求1所述的一种宽带青光发射的CsCdCl3:xSb3+单晶,其特征在于:0.005≤x≤0.015。

3.权利要求1所述的一种宽带青光发射的CsCdCl3:xSb3+单晶的制备方法,采用溶剂热法合成,具体步骤如下:

(a) 根据分子式CsCdCl3:xSb3+按化学计量比准确称取原料CsCl, CdCl2,Sb2O3;将其加入到20 mL聚四氟乙烯反应釜中加入10 mL浓盐酸,再加入1 mL质量分数为58%的次磷酸,放入磁子盖上盖子搅拌30 min;

(b) 将反应釜转移鼓风干燥箱中,在120~200℃下保温10~48 h,以0.05~1 ℃/min速率降至室温,得到CsCdCl3:xSb3+晶体;

(c) 将沉淀出的晶体分别用10 mL、6 mL、3 mL异丙醇洗涤三次;

(d) 将洗涤后的样品在鼓风干燥箱中,在80℃下干燥24 h。

4.根据权利要求3所述一种宽带青光发射的CsCdCl3:xSb3+单晶的制备方法,其特征在于,反应温度为180℃,保温时间为24 h,以0.5 ℃/min速率降至室温。

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