[发明专利]一种InGaAs多线列光敏芯片及其应用在审
申请号: | 202011358808.9 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112556847A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 范明国;朱琴;李志华;齐浩洋;李德香;龚晓霞;袁俊;太云见;黄晖 | 申请(专利权)人: | 云南昆物新跃光电科技有限公司 |
主分类号: | G01J3/28 | 分类号: | G01J3/28;G01J3/02 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 周蜜;仇蕾安 |
地址: | 650223 云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ingaas 多线列 光敏 芯片 及其 应用 | ||
1.一种InGaAs多线列光敏芯片,其特征在于:所述多线列光敏芯片为不同线列光敏元上沉积有尺寸以及成分不同的带通膜的InGaAs芯片;
各线列光敏元上镀制的带通膜的厚度为200nm~3000nm,每个通道的光谱带宽为2nm~50nm,中心波长定位精度±1nm,透过率≥50%,单个通道内的光谱噪声小于1%,通道间的串音小于10%。
2.根据权利要求1所述的一种InGaAs多线列光敏芯片,其特征在于:分光通道以外的区域沉积有短波红外波段透过率小于0.1%的光学薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种InGaAs多线列光敏芯片,其特征在于:带通膜的成分为氧化硅、五氧化二钛、氟化钇、硫化锌和氮化硅中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种InGaAs多线列光敏芯片,其特征在于:各线列规模为256×1、512×1或1024×1。
5.根据权利要求1所述的一种InGaAs多线列光敏芯片,其特征在于:InGaAs多线列光敏芯片的光敏元为圆形或长方形结构,圆形的直径或长方形的外切圆直径为25μm~1000μm。
6.一种同时实现多光谱成像的InGaAs探测器组件,其特征在于:所述组件包括权利要求1至5任何一项所述的InGaAs多线列光敏芯片、读出电路、制冷器、测温电阻、吸气剂、封装管壳、窗口片以及盖板;其中,封装管壳为一端开放的中空腔体结构,盖板上加工有安装窗口片的通孔;
InGaAs多线列光敏芯片与读出电路通过In柱倒装互连的方式实现二者的电学连接,形成焦平面模块;制冷器固定安装在封装管壳上,并与封装管壳的引脚电学连接;测温电阻以及焦平面模块分别固定安装在制冷器上,测温电阻以及焦平面模块分别与封装管壳的引脚电学连接;盖板固定安装在封装管壳的开放端,窗口片固定安装在盖板的通孔上;吸收剂放置在封装管壳内部并与封装管壳的引脚电学连接。
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