[发明专利]光电传感器在审
| 申请号： | 202011359459.2 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112466899A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 周正三;黄振昌;范成至 | 申请（专利权）人： | 神盾股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 传感器 | ||
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：
基板；以及
多个像素结构，配置于所述基板上，且排成阵列，每一像素结构包括：
晶体管；以及
光电二极管，包括：
第一电极，与所述晶体管呈侧向并排；
感光层，其中所述感光层的第一部分配置于所述第一电极上，且所述感光层的第二部分从所述第一部分延伸至所述晶体管上方；以及
第二电极，配置于所述感光层上，且位于所述第一电极与所述晶体管上方。
2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述感光层及所述第二电极覆盖所述晶体管。
3.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述第二电极也覆盖所述第一电极。
4.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，每一像素结构还包括绝缘层，配置于所述感光层的所述第二部分与所述晶体管之间。
5.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述感光层为本征半导体层，所述第一电极为P型掺杂半导体层，且所述第二电极为N型掺杂半导体层。
6.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述感光层为本征半导体层，所述第一电极为N型掺杂半导体层，且所述第二电极为P型掺杂半导体层。
7.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述晶体管为薄膜晶体管。
8.根据权利要求7所述的光电传感器，其特征在于，所述晶体管具有控制端、第一端及第二端，且所述第二端与所述第一电极为同一半导体层所形成。
9.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第一电极为重掺杂P型多晶硅层，所述感光层为本征非晶硅层，且所述第二电极为重掺杂N型非晶硅层。
10.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述基板为玻璃基板、蓝宝石基板或半导体基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
