[发明专利]带隙基准电路、对应的设备和方法

权利要求书

1.一种电路，包括：

供电电压节点；

带隙电压发生器电路，包括第一双极晶体管和第二双极晶体管，其中所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管具有共同耦合到用于提供带隙电压的带隙节点的基极端子，其中所述带隙电压发生器电路还包括：

第一电流发生器，耦合到所述供电电压节点并且被配置为将第一电流供应到第一电路节点；

第二电流发生器，耦合到所述供电电压节点并且被配置为将第二电流供应到第二电路节点；

其中所述第一电流和所述第二电流是镜像电流；以及

解耦电路，被配置为将所述第一双极晶体管和第二双极晶体管从所述供电电压节点解耦，所述解耦电路包括：

第一解耦晶体管，具有与所述第一双极晶体管串联的电流流动路径，其中所述第一解耦晶体管被连接到所述第一电路节点，所述第一电路节点介于所述第一解耦晶体管和所述供电电压节点之间；

第二解耦晶体管，具有与所述第二双极晶体管串联的电流流动路径，其中所述第二解耦晶体管被连接到所述第二电路节点，所述第二电路节点介于所述第二解耦晶体管和所述供电电压节点之间；以及

二极管连接的晶体管，具有耦合到所述第一解耦晶体管和所述第二解耦晶体管的控制端子的第一端子、以及耦合到所述带隙节点的第二端子。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述二极管连接的晶体管的所述第一端子被直接连接到所述第一解耦晶体管和所述第二解耦晶体管的所述控制端子，并且其中所述二极管连接的晶体管的所述第二端子被直接连接到所述带隙节点。

3.根据权利要求2所述的电路，还包括输出晶体管，所述输出晶体管具有在所述供电电压节点和所述带隙节点之间的电流流动路径，其中所述输出晶体管的控制端子被连接到所述第一电路节点。

4.根据权利要求2所述的电路，还包括偏置晶体管，所述偏置晶体管具有在所述供电电压节点和所述二极管连接的晶体管的所述第一端子之间的电流流动路径，其中所述偏置晶体管的控制端子被连接到所述第一电路节点。

5.根据权利要求4所述的电路，还包括输出晶体管，所述输出晶体管具有在所述供电电压节点和所述带隙节点之间的电流流动路径，其中所述输出晶体管的控制端子被连接到所述第一电路节点。

6.根据权利要求2所述的电路，还包括输出晶体管，所述输出晶体管具有在所述供电电压节点和所述二极管连接的晶体管的所述第一端子之间的电流流动路径，其中所述输出晶体管的控制端子被连接到所述第一电路节点。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述二极管连接的晶体管的所述第一端子被直接连接到所述第一解耦晶体管和所述第二解耦晶体管的所述控制端子，并且其中所述二极管连接的晶体管的所述第二端子通过分压器电路被耦合到所述带隙节点，所述分压器电路耦合在所述带隙节点和基准节点之间。

8.根据权利要求7所述的电路，还包括输出晶体管，所述输出晶体管具有在所述供电电压节点和所述带隙节点之间的电流流动路径，其中所述输出晶体管的控制端子被连接到所述第一电路节点。

9.根据权利要求8所述的电路，还包括偏置晶体管，所述偏置晶体管具有在所述供电电压节点和所述二极管连接的晶体管的所述第一端子之间的电流流动路径，其中所述偏置晶体管的控制端子被连接到所述第一电路节点。

10.根据权利要求1所述的电路，还包括输出晶体管，所述输出晶体管具有在所述供电电压节点和所述带隙节点之间的电流流动路径，其中所述输出晶体管的控制端子被连接到所述第一电路节点。

11.根据权利要求1所述的电路，其中所述解耦电路还包括偏置晶体管，所述偏置晶体管具有在所述供电电压节点与所述第一解耦晶体管和所述第二解耦晶体管的所述控制端子之间的电流流动路径，所述偏置晶体管具有耦合到所述第一电路节点的控制端子。