[发明专利]一种PERC单晶电池用硅片及其退火方法与应用有效
| 申请号： | 202011360328.6 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112490326B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 方超炎;何悦;任勇;张逸凡 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 perc 电池 硅片 及其 退火 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种PERC单晶电池用硅片的退火方法，其特征在于，所述退火方法包括以下步骤：
(1)在800-1200mbar的绝对压力下送入硅片，并通入流速为2500-3500sccm的氮气进行吹扫；
(2)抽真空至绝对压力为80-120mbar，并通入流速为150-250sccm的氮气吹扫180-200s；
(3)保持绝对压力为650-750mbar，并通入流速为14000-16000sccm的氮气吹扫280-300s；
(4)保持绝对压力为800-1200mbar，停止通入氮气，观察绝对压力在40-80s内的变化范围是否超过100mbar进行检漏；
(5)保持绝对压力为80-120mbar，通入氧气氧化，并通入流速为2500-3500sccm的氮气吹扫25-35min；所述氧气与氮气的流速比为(0.5-1.5):1；
(6)在800-1200mbar的绝对压力下取出硅片，并通入流速为2500-3500sccm的氮气进行吹扫；
其中，步骤(1)至步骤(6)均在660-700℃的恒温下进行。
2.一种如权利要求1所述的退火方法处理得到的PERC单晶电池用硅片。
3.一种如权利要求2所述的PERC单晶电池用硅片在制备PERC单晶电池中的应用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
