[发明专利]一种E/D-mode GaN HEMT集成器件的制备方法在审
| 申请号： | 202011360357.2 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112466941A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 蒋洋;于洪宇;汪青 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mode gan hemt 集成 器件 制备 方法 | ||
1.一种E/D-mode GaN HEMT集成器件的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成至少两个GaN HEMT异质结结构；其中，所述异质结结构包括依次叠层设置的GaN层、空间隔离层以及势垒层；
在所述异质结结构远离衬底的一侧形成源极欧姆接触电极和漏极欧姆接触电极；
在所述异质结结构远离衬底的一侧采用干法氧化-湿法刻蚀重复循环的方式形成第一栅极开孔；
在第一栅极开孔处形成第一栅极；
形成第二栅极开孔和第二栅极；
形成源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的E/D-mode GaN HEMT集成器件的制备方法，其特征在于，在所述异质结结构远离衬底的一侧采用干法氧化-湿法刻蚀重复循环的方式形成第一栅极开孔包括：
在氧等离子体中进行干法氧化；
在盐酸溶液中进行湿法刻蚀。
3.根据权利要求1所述的E/D-mode GaN HEMT集成器件的制备方法，其特征在于，在所述异质结结构远离衬底的一侧形成源极欧姆接触电极和漏极欧姆接触电极之后还包括：
在所述异质结结构远离衬底的一侧形成第一钝化层。
4.根据权利要求3所述的E/D-mode GaN HEMT集成器件的制备方法，其特征在于，在所述异质结结构远离衬底的一侧采用干法氧化-湿法刻蚀重复循环的方式形成第一栅极开孔包括：
在所述异质结结构远离衬底的一侧刻蚀所述第一钝化层，以及采用干法氧化-湿法刻蚀重复循环的方式刻蚀所述势垒层和所述空间隔离层，以形成所述第一栅极开孔。
5.根据权利要求4所述的E/D-mode GaN HEMT集成器件的制备方法，其特征在于，形成第二栅极开孔包括：
刻蚀所述第一钝化层，以形成所述第二栅极开孔。
6.根据权利要求1所述的E/D-mode GaN HEMT集成器件的制备方法，其特征在于，在所述异质结结构远离衬底的一侧采用干法氧化-湿法刻蚀重复循环的方式形成第一栅极开孔包括：
在所述异质结结构远离衬底的一侧采用干法氧化-湿法刻蚀重复循环的方式刻蚀所述势垒层和所述空间隔离层形成第一开孔；
形成第一介质层，所述第一介质层位于所述源极欧姆接触电极和所述漏极欧姆接触电极之间；
形成第二钝化层；
刻蚀所述第一开孔处的所述第二钝化层，以形成所述第一栅极开孔。
7.根据权利要求6所述的E/D-mode GaN HEMT集成器件的制备方法，其特征在于，形成第二栅极开孔包括：
刻蚀所述第二钝化层，以形成所述第二栅极开孔。
8.根据权利要求3所述的E/D-mode GaN HEMT集成器件的制备方法，其特征在于，在所述异质结结构远离衬底的一侧采用干法氧化-湿法刻蚀重复循环的方式形成第一栅极开孔包括：
在所述异质结结构远离衬底的一侧刻蚀第一钝化层，以及采用干法氧化-湿法刻蚀重复循环的方式刻蚀所述势垒层形成第二开孔；
将所述第二开孔处的所述空间隔离层氧化为第二介质层，以形成所述第一栅极开孔。
9.根据权利要求8所述的E/D-mode GaN HEMT集成器件的制备方法，其特征在于，形成第二栅极开孔包括：
刻蚀所述第一钝化层形成第三开孔；
将所述第三开孔处的部分所述势垒层氧化为第三介质层，以形成所述第二栅极开孔。
10.根据权利要求9所述的E/D-mode GaN HEMT集成器件的制备方法，其特征在于，所述第二介质层和第三介质层的材料均包括氧化铝。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南方科技大学，未经南方科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011360357.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
