[发明专利]一种晶振测量系统及测量方法和装置

说明书

本发明实施例公开了一种晶振测量系统及测量方法和装置，晶振测量系统包括移动载台、蒸镀源、可旋转晶振探头以及基板，晶振测量系统用于测量蒸镀速率以及调节晶振探头与蒸镀源之间位置关系；该测量方法包括：获取晶振探头的位置信息；调取与位置信息所对应的膜厚调整参数TF；测试得到晶振探头的探头测量速率V1，并计算得到基板的材料实际蒸镀速率V2，V2＝V1*TF；若V1和V2中至少一种不满足蒸镀源所对应的预设蒸镀条件，则调整蒸镀源的功率和/或晶振探头的位置，直至调整后V1和V2满足预设蒸镀条件；若V1和V2满足预设蒸镀条件，则进行蒸镀工作。本发明根据需求随时调整晶振探头速率，延长晶振寿命，提高膜厚控制精度。

技术领域

本发明实施例涉及蒸镀技术领域，尤其涉及一种晶振测量系统及测量方法和装置。

背景技术

真空蒸镀，简称蒸镀，是指在真空条件下，采用一定的加热蒸发方式蒸发镀膜材料(或称膜料)并使之气化，粒子飞至基片表面凝聚成膜的工艺方法，具有成膜方法简单、薄膜纯度和致密性高、膜结构和性能独特等优点。

蒸镀装置包括蒸镀源和基板。采用蒸镀源对基板进行蒸镀时，蒸镀源中材料受热蒸发后，气体分子蒸镀至基板上。气体分子蒸镀在基板上的蒸镀速率无法监测，导致膜厚无法控制，为此在蒸镀源和基板之间设置晶振片，以实现蒸镀速率监测。

蒸镀过程中，气体分子沉积在晶振片上，改变晶振片整体质量，通过改变晶振片的振动频率，可以监测出气体分子蒸镀在晶振片上的蒸镀速率。气体分子蒸镀在晶振片上的蒸镀速率与气体分子蒸镀在基板的蒸镀速率相关联，那么监测气体分子蒸镀在晶振片上的蒸镀速率，可以计算得到气体分子蒸镀在基板上的蒸镀速率，以此控制基板上的膜厚。

然而，气体分子沉积在晶振片上会改变晶振片整体质量，显然蒸镀工艺会导致晶振片受损，影响晶振片寿命。而蒸镀时通过监测气体分子蒸镀在晶振片上的蒸镀速率来控制基板上的膜厚，那么晶振片受损影响膜厚准确性。

目前，没有有效的方法可以避免蒸镀源对晶振的损耗，导致影响膜厚准确性。

发明内容

本发明实施例提供一种晶振测量系统及测量方法和装置，以延长晶振寿命，提高膜厚控制精度。

本发明实施例提供了一种晶振测量系统的测量方法，所述晶振测量系统包括移动载台、位于所述移动载台上的蒸镀源、设置在所述移动载台上的可旋转晶振探头以及基板，所述晶振测量系统用于测量蒸镀速率，所述晶振测量系统还用于调节晶振探头与所述蒸镀源之间位置关系；

该测量方法包括以下步骤：

获取所述晶振探头的位置信息；

调取与所述位置信息所对应的膜厚调整参数TF；

测试得到所述晶振探头的探头测量速率V1，并计算得到所述基板的材料实际蒸镀速率V2，V2＝V1*TF；

若V1和V2中至少一种不满足所述蒸镀源所对应的预设蒸镀条件，则调整所述蒸镀源的功率和/或所述晶振探头的位置，直至调整后V1和V2满足所述预设蒸镀条件；

若所述V1和V2满足所述预设蒸镀条件，则进行蒸镀工作。

进一步的，若V1和V2中至少一种不满足所述蒸镀源所对应的预设蒸镀条件，则调整所述蒸镀源的功率和/或所述晶振探头的位置，直至调整后V1和V2满足所述预设蒸镀条件，包括：

若V2不满足所述预设蒸镀条件，则调整所述蒸镀源的功率至V2满足所述预设蒸镀条件；

若V2满足所述预设蒸镀条件，则判断该V1是否满足所述预设蒸镀条件；

若否，则调整所述晶振探头的位置，直至调整后得到的V1和V2满足所述预设蒸镀条件。

进一步的，预先获取与各位置信息所对应的膜厚调整参数TF：