[发明专利]KrF厚膜光刻胶树脂、其制备方法和涂覆基材有效
申请号: | 202011360499.9 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112346300B | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 王溯;方书农;耿志月;崔中越;唐晨;薛新斌;王世建;王志勇;张君;郗逸凡 | 申请(专利权)人: | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 王卫彬;邹玲 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | krf 光刻 树脂 制备 方法 基材 | ||
1.一种光刻胶组合物,其特征在于,包括以下组分:光致产酸剂、树脂和溶剂;
所述的光致产酸剂为PAG1和/或PAG2,其结构如下所示:
所述的树脂通过以下制备方法制得,所述的树脂的制备方法包括以下步骤:
在过氧苯甲酰存在下,将如式A所示的单体、如式B所示的单体、如式C所示的单体、如式D所示的单体和如式E所示的单体在乙酸乙酯中进行聚合反应,得到所述的树脂;其中,所述的如式D所示的单体以重量份数计的份数为1-10份,所述的如式E所示的单体以重量份数计的份数为1-10份;
所述的聚合反应的温度为75-80℃;
式A中,R1为R1a取代的5-10元的杂环烷基或-CH2(C=O)OR1b;
R1b为R1b-1取代的5-10元的杂环烷基;
R1a和R1b-1独立地为氧代、氰基或C1-4的烷基;
所述的R1a取代的5-10元的杂环烷基和所述的R1b-1取代的5-10元的杂环烷基中的杂原子为O,个数为1个或2个;
式B中,R2为
n1为1-11中的任意整数;
R2a和R2b独立地为C1-4的烷基、羟基取代的C1-4的烷基、苯基、R2a-1取代的苯基、5-6元的环烷基或金刚烷基;
R2a-1为C1-4的烷基或C1-4的烷氧基;
或者,R2a和R2b与其相连的氮原子一起形成5-6元的杂环烷基或R2b-1取代的5-6元的杂环烷基,所述的5-6元的杂环烷基和R2b-1取代的5-6元的杂环烷基中的杂原子独立地选自O和N,个数为1个或2个;
R2b-1为C1-4的烷基或氨基保护基;
式C中,为单键或者双键;
R3a、R3b和R3c独立地为H、羟基、氰基、-(C=O)OR3a-1、-O(C=O)R3a-2、C1-4的烷基或羟基取代的C1-4的烷基;且R3a、R3b和R3c不同时为H;
R3a-1为H、C1-5的烷基、
R3a-2为C1-4的烷基或苯基;
或者,R3a、R3b和R3c中的任意两个基团与其相连的碳原子一起形成苯基、5-7元的环烷基、5-7元的环烯基、
式D中,n2为0或1;
R4a和R4b独立地为H或C1-4的烷基;且R4a和R4b不同时为H;
式E中,R5为H、氰基、C1-4的烷基、R5a取代的C1-4的烷基或-(C=O)OR5b;
R5a为羟基或乙酰基;
R5b为C1-4的烷基;
所述的树脂的重均分子量为5000-18000;
所述的树脂的聚合物分散性指数为1.4-2.1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新阳半导体材料股份有限公司,未经上海新阳半导体材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011360499.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。