[发明专利]厚膜型光刻胶组合物及其制备方法和应用

说明书

本发明公开了一种厚膜型光刻胶组合物及其制备方法和应用。本发明的厚膜型光刻胶组合物的制备方法包括以下步骤：将光刻胶组合物中的各个组分混合均匀，即可；所述的光刻胶组合物包括以下组分：光致产酸剂、树脂和溶剂。本发明的光刻胶组合物形成的胶膜具有好的性能，具有好的应用前景。

技术领域

本发明涉及一种厚膜型光刻胶组合物及其制备方法和应用。

背景技术

目前在半导体制造领域，LCD(液晶显示)/BUMP凸块/MEMS微机电/3D-NAND存储器等芯片制造过程中，会用到KrF光源厚膜光刻胶，此类光刻胶既不同于常规的KrF的薄层光刻胶，也不同于ArF光源的光刻胶，而是具有自己独特的性能。

目前虽然集成电路半导体芯片制造技术在飞速发展，但配套的此类KrF光源的厚膜光刻胶的技术却并没有完全成熟，是目前KrF类光刻胶研究的热点领域。

KrF光源厚膜光刻胶，目前存在的问题颇多，例如，膜开裂、膜厚均匀性不佳，缺陷多，分辨率及灵敏度不佳，膜剥离性不佳，形状不佳，矩形性差，解析性差，耐热性不够强、并且不能抑制波动现象，以及杂质严重等缺陷。

因此，本领域亟需开发能综合解决上述问题的厚膜光刻胶。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是现有技术中KrF光源厚膜光刻胶膜开裂、膜厚均匀性不佳、缺陷多、分辨率及灵敏度不佳、膜剥离性不佳、形状不佳、矩形性差、解析性差、耐热性不够强、不能抑制波动现象或者杂质严重等缺陷，为此，提供了一种厚膜型光刻胶组合物及其制备方法和应用。由本发明的制备方法得到的光刻胶组合物形成的胶膜至少具有如下任一优点：不易开裂、厚度均匀、分辨率及灵敏度不佳、膜剥离性佳、形状佳、矩形性佳、解析性佳、耐热性好、还能抑制波动现象以及金属杂质少。

本发明通过以下技术方案来解决上述技术问题。

本发明提供了一种光刻胶组合物的制备方法，其包括以下步骤：将光刻胶组合物中的各个组分混合均匀，即可；

所述的光刻胶组合物包括以下组分：树脂、光致产酸剂和溶剂；

所述的树脂通过以下制备方法制得，所述的树脂的制备方法包括以下步骤：

在过氧苯甲酰存在下，将如式A所示的单体、如式B所示的单体、如式C所示的单体、如式D所示的单体和如式E所示的单体在乙酸乙酯中进行聚合反应，得到所述的树脂；其中，所述的如式D所示的单体以重量份数计的份数为1-10份，所述的如式E所示的单体以重量份数计的份数为1-10份；

所述的聚合反应的温度为75-80℃；

式A中，R¹为R^1a取代的5-10元的杂环烷基或-CH₂(C＝O)OR^1b；

R^1b为R^1b-1取代的5-10元的杂环烷基；

R^1a和R^1b-1独立地为氧代、氰基或C_1-4的烷基；

所述的R^1a取代的5-10元的杂环烷基和所述的R^1b-1取代的5-10元的杂环烷基中的杂原子为O，个数为1个或2个；

式B中，R²为

M为亚乙基或亚环己基；n为2、3、4、5、6或7；Y为