[发明专利]厚膜型DUV光刻胶组合物及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202011360558.2 申请日: 2020-11-27
公开(公告)号: CN112485961B 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 王溯;崔中越;耿志月;唐晨;薛新斌;王世建;王志勇;黄桂华 申请(专利权)人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;C08F220/32;C08F212/14;C08F212/32;C08F232/08;C08F220/58;C08F220/34;C08F220/22;C08F220/24
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 王卫彬;陈卓
地址: 201616 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 厚膜型 duv 光刻 组合 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种光刻胶组合物,其包括以下组分:树脂、光致产酸剂和溶剂;

所述的树脂通过以下制备方法制得,所述的树脂的制备方法包括以下步骤:

在过氧苯甲酰存在下,将如式A所示的单体、如式B所示的单体、如式C所示的单体、如式D所示的单体和如式E所示的单体在乙酸乙酯中进行聚合反应,得到所述的树脂;其中,所述的如式D所示的单体以重量份数计的份数为1-10份,所述的如式E所示的单体以重量份数计的份数为1-10份;

所述的聚合反应的温度为75-80℃;

式A中,R1为R1a取代的5-10元的杂环烷基或-CH2(C=O)OR1b

R1b为R1b-1取代的5-10元的杂环烷基;

R1a和R1b-1独立地为氧代、氰基或C1-4的烷基;

所述的R1a取代的5-10元的杂环烷基和所述的R1b-1取代的5-10元的杂环烷基中的杂原子为O,个数为1个或2个;

式B中,R2

M为亚乙基或亚环己基;n为2、3、4、5、6或7;Y为

R2a和R2b独立地为C1-4的烷基、R2a-1取代的C1-4的烷基、苯基、萘基、R2a-2取代的苯基或5-6元的环烷基;

R2a-1为羟基或金刚烷基;

R2a-2为C1-4的烷基或C1-4的烷氧基;

或者,R2a和R2b与其相连的N原子一起形成5-6元的杂环烷基或R2b-1取代的5-6元的杂环烷基,所述的5-6元的杂环烷基和R2b-1取代的5-6元的杂环烷基中的杂原子独立地选自O和N,个数为1个或2个;

R2b-1为C1-4的烷基或氨基保护基;

且Y为不为

式C中,为单键或者双键;

R3a、R3b和R3c独立地为H、羟基、氰基、-(C=O)OR3a-1、-O(C=O)R3a-2、C1-4的烷基或羟基取代的C1-4的烷基;且R3a、R3b和R3c不同时为H;

R3a-1为H、C1-5的烷基、

R3a-2为C1-4的烷基或苯基;

或者,R3a、R3b和R3c中的任意两个基团与其相连的碳原子一起形成苯基、5-7元的环烷基、5-7元的环烯基、

式D中,Q为N或O;

R4

式E中,R5为C1-6的烷基、R5-1取代的C1-6的烷基、5-6元的环烷基、R5-2取代的5-6元的环烷基、R5-3取代的苯基或

R5-1、R5-2和R5-3独立地为羟基或

所述的光致产酸剂为PAG1和/或PAG2,其结构如下所示:

所述的树脂的重均分子量为3000-20000;

所述的树脂的聚合物分散性指数为1.2-2.5。

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