[发明专利]一种厚膜型248nm光刻胶组合物，其制备方法和涂覆基材

说明书

本发明公开了一种厚膜型248nm光刻胶组合物，其制备方法及应用。本发明的涂覆基材包含基材和形成在基材表面上的光刻胶组合物层，其中，所述的光刻胶组合物层中的光刻胶组合物包含以下组分：光致产酸剂、树脂和溶剂。本发明的涂覆基材具有良好的性能，具有良好的应用前景。

技术领域

本发明涉及一种厚膜型248nm光刻胶组合物，其制备方法和涂覆基材。

背景技术

目前在半导体制造领域，LCD(液晶显示)/BUMP凸块/MEMS微机电/3D-NAND存储器等芯片制造过程中，会用到KrF光源厚膜光刻胶，此类光刻胶既不同于常规的KrF的薄层光刻胶，也不同于ArF光源的光刻胶，而是具有自己独特的性能。

目前虽然集成电路半导体芯片制造技术在飞速发展，但配套的此类KrF光源的厚膜光刻胶的技术却并没有完全成熟，是目前KrF类光刻胶研究的热点领域。

KrF光源厚膜光刻胶，目前存在的问题颇多，例如，膜开裂、膜厚均匀性不佳、缺陷多，分辨率及灵敏度不佳，膜剥离性不佳，形状不佳，矩形性差，解析性差，耐热性不够强、并且不能抑制波动现象，以及杂质严重等缺陷。

因此，本领域亟需开发能综合解决上述问题的厚膜光刻胶。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是为了克服现有技术中光刻胶膜易开裂、膜厚均匀性不佳、缺陷多、分辨率及灵敏度不佳、膜剥离性不佳、形状不佳、矩形性差、解析性差、耐热性不够强、并且不能抑制波动现象或杂质严重等缺陷，而提供了一种厚膜型248nm光刻胶组合物，其制备方法和涂覆基材。本发明的涂覆基材至少具有如下任一优点：不易开裂、膜厚均匀、缺陷少、分辨率及灵敏度高、膜剥离性好、形状优良、矩形性好、解析性强、耐热性强、并且能抑制波动现象以及杂质较少。

本发明提供了一种涂覆基材，其包含基材和一形成在基材表面上的光刻胶组合物层；所述的光刻胶组合物层中的光刻胶组合物包含以下组分：光致树脂、产酸剂和溶剂；

所述的树脂通过以下制备方法制得，所述的制备方法包括以下步骤：

在过氧苯甲酰的存在下，将如式A所示的单体、如式B所示的单体、如式C所示的单体、如式D所示的单体和如式E所示的单体在乙酸乙酯中进行聚合反应，得到所述的树脂；其中，所述的如式D所示的单体以重量份数计的份数为1-10份，所述的如式E所示的单体以重量份数计的份数为1-10份；

所述的聚合反应温度为75-80℃；

式A中，R¹为R^1a取代的5-10元的杂环烷基或-CH₂(C＝O)OR^1b；

R^1b为R^1b-1取代的5-10元的杂环烷基；

R^1a和R^1b-1独立地为氧代、氰基或C_1-4的烷基；

所述的R^1a取代的5-10元的杂环烷和所述的R^1b-1取代的5-10元的杂环烷基中的杂原子为O，个数为1个或2个；

式B中，R²为

n₁为1-4中的任意整数；

n₂为1-4中的任意整数；

Y为直键或(CH₂)n₃；

n₃为1-5中的任意整数；