[发明专利]有机发光二极管及其制备方法、显示面板、显示器件

说明书

一种有机发光二极管及其制备方法、显示面板、显示器件，有机发光二极管包括：OLED发光单元，所述OLED发光单元包括：电子传输层；空穴传输层；位于所述电子传输层和空穴传输层之间的发光层，所述发光层包括电子传输型主体材料和荧光客体材料；所述空穴传输层的空穴迁移率随着电场强度的变化具有第一变化率，所述电子传输层的电子迁移率随着电场强度的变化具有第二变化率，第二变化率大于第一变化率。所述有机发光二极管能够改善在高亮度下发光效率滚降的现象。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种有机发光二极管及其制备方法、显示面板、显示器件。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light－Emitting Diode，简称OLED)显示器，又称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平面显示器。与现有的液晶显示器相比，其具有自主发光、视角宽、超轻、超薄、高亮度、低功耗和快响应等一系列的优点，并且响应速度可达液晶显示器的1000倍，因此，OLED显示器成为国内外非常热门的平面显示器产品，具有广阔的应用前景。OLED显示器的结构包括：基板玻璃；层叠设置在基板玻璃上的阳极、有机功能层和阴极；以及封装在玻璃基板上的盖板。

随着电子技术的发展，电子设备对显示组件功耗的要求也愈发严格。目前，OLED显示器在高电流驱动下或者在高亮度显示下，存在发光效率滚降低的问题。尤其是针对荧光发光型的OLED显示器，改善荧光发光型的OLED显示器在高亮度下发光效率滚降的问题至关重要。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中荧光发光型有机发光二极管在高亮度下发光效率滚降的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种有机发光二极管，包括：OLED发光单元，所述OLED发光单元包括：电子传输层；空穴传输层；位于所述电子传输层和空穴传输层之间的发光层，所述发光层包括电子传输型主体材料和荧光客体材料；所述空穴传输层的空穴迁移率随着电场强度的变化具有第一变化率，所述电子传输层的电子迁移率随着电场强度的变化具有第二变化率，第二变化率大于第一变化率。

可选的，所述第二变化率为所述第一变化率的1.8倍以上。

可选的，所述第二变化率为所述第一变化率的1.8倍～5倍。

可选的，所述第二变化率为所述第一变化率的3倍～5倍。

优选的，所述电子传输层在第一电场强度下具有第一电子迁移率，所述电子传输层在第二电场强度下具有第二电子迁移率，所述第二电子迁移率大于第一电子迁移率。

优选的，当第一电场强度为1.6E5V/cm～3.0E5V/cm时，第一电子迁移率为10^－7cm²/Vs～10^－6cm²/Vs，当第二电场强度大于3.0E5V/cm且小于或等于1E6V/cm时，第二电子迁移率大于10^－6cm²/Vs且小于或等于10^－1cm²/Vs。

可选的，所述第二电场强度大于或等于高电场强度阈值时的第二电子迁移率为所述第一电场强度小于或等于低电场强度阈值时的第一电子迁移率的3倍以上，优选的，所述第二电场强度大于或等于高电场强度阈值时的第二电子迁移率为所述第一电场强度小于或等于低电场强度阈值时的第一电子迁移率的5倍以上。

可选的，所述低电场强度阈值为2.5E5V/cm，所述高电场强度阈值为3.6E5V/cm。

可选的，所述空穴传输层在第三电场强度下的空穴迁移率大于所述第二电子迁移。

可选的，第三电场强度为1.6E5V/cm～1E6V/cm，所述空穴传输层在第三电场强度下的空穴迁移率为10^－4cm²/Vs～10^－2cm²/Vs。