[发明专利]半导体芯片缺陷定位方法和定位模块

权利要求书

1.一种半导体芯片缺陷定位方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，判断芯片中die是否为合die扫描程式，若不是合die扫描程式则执行步骤S2，若是合die扫描程式则执行步骤S3；

S2，确认die内cell区域pitch，将自对准十字定位到die corner的位置，将自对准十字原点到die corner的距离表示为X*Y；

其中，X、Y为die corner到自对准十字原点的横、纵坐标差值；

S3，获取合die的合叠尺寸M*N，在M*N的区间中通过GDS确认单个die的尺寸A*B，将自对准十字原点在M*N区间中移动mA*nB的距离,重复步骤S4和S5；

其中，m值范围为0-M，n值范围为0-N；

S4，通过X*Y定义聚焦尺寸，在X*Y区域内移动扫描镜头；

每次横向移动扫描镜头x距离，横向移动扫描镜头a次数，则a*x的区间范围为(-X,+X)；

每次纵向移动扫描镜头y距离，纵向移动扫描镜头b次数，则b*y的区间范围为(-Y,+Y)；

S5,将所有移动扫描镜头拍摄图像叠加计算pitch的灰阶值，获得灰阶值均值为α；

当其中某张pitch图像灰阶值与灰阶值均值α的差值大于阈值时，移动扫描镜头到该pitch图像位置，通过SEM图像手动确定是否为缺陷信号；

若是缺陷信号，则选择该pitch为缺陷坐标原点设定位置；若不是缺陷信号，则继续选择下一张的pitch图像手动确定是否为缺陷信号，直到缺陷的pitch图像出现；

S6，通过标注颜色区分不同的缺陷，对缺陷的pitch图像扫描收集色阶图形，扫描收集色阶图形将选定缺陷对应的色阶图形作为缺陷图形；

S7，确认色阶图形的第一坐标X1，通过对第一横坐标X1进行X轴向移动预定义固定值T获得选定缺陷图形的第二横坐标X2；

S8，通过第一横坐标和第二横坐标确定缺陷图形的第一纵坐标Y1和第二纵坐标Y2；

以及，相邻CELL图形与缺陷图形相邻的边上与第一横坐标X1和第二横坐标X2对应的第三纵坐标Y3和第四纵坐标Y4；

S9，通过比较第一纵坐标Y1、第二纵坐标Y2、第三纵坐标Y3和第四纵坐标Y4，确定缺陷图形的纵坐标；

S10，将晶圆中所有缺陷图形根据设计规则全部选择形成待缺陷图形矩阵。

2.如权利要求1所述的半导体芯片缺陷定位方法，其特征在于：第二横坐标X2通过第一坐标X1沿X轴正向或负向平移预设距离获得。

3.如权利要求1所述的半导体芯片缺陷定位方法，其特征在于：实施步骤S9时，选择(Y4-Y1)、(Y2-Y1)和(Y2-Y3)中最小值确定的矩形图形定义为缺陷图形，通过该最小值确定的矩形图形获得第一纵坐标Y1和第二纵坐标Y2。