[发明专利]低电压叠层铌酸锂电光Q开关有效
| 申请号： | 202011362391.3 | 申请日： | 2020-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN112382920B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 商继芳;杨金凤;郝好山;陈铃;苏丽霞 | 申请（专利权）人： | 河南工程学院 |
| 主分类号： | H01S3/115 | 分类号： | H01S3/115 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 王红培 |
| 地址： | 451191 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 叠层铌酸锂 电光 开关 | ||
1.一种低电压叠层铌酸锂电光Q开关，其特征在于：由若干块矩形薄片式铌酸锂晶体沿厚度方向叠合而成；
所述铌酸锂晶体的厚度方向为加电场方向，长度方向为通光方向，各个晶体厚度方向的两晶面均镀有电极；
各铌酸锂晶体按照相邻两晶体绕长度方向相对旋转180°的方式叠合在一起，长度、宽度和厚度方向分别平行，各铌酸锂晶体的通光面处于同一平面，整个通光面抛光并镀制激光增透膜；
从各铌酸锂晶体的接缝处引出电极，采用并联加电的方式，正负电极相间排列。
2.根据权利要求1所述的低电压叠层铌酸锂电光Q开关，其特征在于：所述矩形薄片式铌酸锂晶体为
3.根据权利要求2所述的低电压叠层铌酸锂电光Q开关，其特征在于：所述矩形薄片式铌酸锂晶体的切型为或。
4.根据权利要求3所述的低电压叠层铌酸锂电光Q开关，其特征在于：所述铌酸锂晶体厚度
5.根据权利要求3所述的低电压叠层铌酸锂电光Q开关，其特征在于：所述矩形薄片式铌酸锂晶体的厚度方向镀制金属电极或透明电极。
6.根据权利要求3所述的低电压叠层铌酸锂电光Q开关，其特征在于：所述矩形薄片式铌酸锂晶体之间通过填涂导电胶、在接缝处点胶或使用机械夹具固定在一起。
7.根据权利要求3所述的低电压叠层铌酸锂电光Q开关，其特征在于：所述矩形薄片式铌酸锂晶体为2~10块。
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