[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和包括其的电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

包括至少一个第一薄膜晶体管的面板；和

配置成驱动所述面板的驱动电路，

其中所述面板包括：

基板；

设置在所述基板上的第一有源层，所述第一有源层包括第一区域、与所述第一区域分隔开的第二区域、以及设置在所述第一区域与所述第二区域之间的沟道区域，并且所述第一有源层由氧化物半导体形成；

设置在所述第一有源层上的栅极绝缘膜；

设置在所述栅极绝缘膜上的第一栅极电极；

第二栅极电极，所述第二栅极电极与所述第一栅极电极设置在同一层，以与所述第一栅极电极的一端重叠，并且所述第二栅极电极被施加与施加至所述第一栅极电极的信号对应的信号；

设置在其上设置有所述第一栅极电极和所述第二栅极电极的所述基板上的层间绝缘膜；和

彼此分隔地设置在所述层间绝缘膜上的第一电极和第二电极。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一栅极电极和所述第二栅极电极包括具有不同氢形成能和不同氢扩散势垒的材料。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述第一栅极电极和所述第二栅极电极的每一个包括铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、硅(Si)、银(Ag)、金(Au)和它们的合金之中的任意一种，并且

所述第一栅极电极和所述第二栅极电极包括不同的材料。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一有源层的所述沟道区域包括第一沟道区域和与所述第一沟道区域一体的第二沟道区域，

所述第一沟道区域与所述第一栅极电极重叠，

所述第二沟道区域与所述第二栅极电极重叠，并且

所述沟道区域的同时与所述第一栅极电极和所述第二栅极电极重叠的区域包括在与所述第一栅极电极和所述第二栅极电极中的具有高氢扩散势垒的一个栅极电极重叠的所述第一沟道区域或所述第二沟道区域中。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述第一沟道区域的费米能级与所述第二沟道区域的费米能级不同，并且

能带在所述第一沟道区域与所述第二沟道区域的边界处弯曲。

6.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述第一沟道区域的氢含量与所述第二沟道区域的氢含量不同。

7.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述第一栅极电极的长度与所述第二栅极电极的长度不同，并且

所述第一沟道区域的长度与所述第二沟道区域的长度不同。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其中与所述第一栅极电极重叠的所述栅极绝缘膜的厚度对应于与所述第二栅极电极重叠的所述栅极绝缘膜的厚度。

9.根据权利要求1所述的电子装置，其中在所述面板中设置有与所述第一薄膜晶体管相同的多个第一薄膜晶体管，并且

对所述至少一个第一薄膜晶体管的所述第一栅极电极和所述第二栅极电极施加相同的数据电压。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述第一栅极电极的氢扩散势垒低于所述第二栅极电极的氢扩散势垒。

11.根据权利要求10所述的电子装置，其中当所述第一薄膜晶体管的载流子在所述第一有源层中从与所述第一栅极电极重叠的第一沟道区域朝向与所述第二栅极电极重叠的第二沟道区域移动时，所述第一沟道区域的费米能级高于所述第二沟道区域的费米能级。

12.根据权利要求10所述的电子装置，其中所述第一栅极电极的长度大于所述第二栅极电极的长度。