[发明专利]一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法在审
| 申请号： | 202011363122.9 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN114540953A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 许志 | 申请（专利权）人： | 福建新峰二维材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/14;C30B28/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 缺陷 多晶 铸造 制备 方法 | ||
1.一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：
S1、直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；
S2、垂直晶硅生长方向将所述单晶方棒切割成大籽晶块；
S3、将所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；
S4、将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，其中大籽晶块铺设在坩埚中间区域，小籽晶块铺设在坩埚四周边缘，形成完整的籽晶层；
S5、在所述籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；
S6、将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；
S7、将所述硅锭进行开方，开方后得到小方锭；
S8、将所述小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片。
2.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：S2中所述大籽晶的长度为铸造单晶硅片宽度的2-10倍，所述大籽晶的宽度比铸造单晶硅片宽2-20mm。
3.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：S2中所述大籽晶块上表面为(010)或(001)晶向。
4.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：S4中所诉小籽晶块为长方形、正方形、三角形或其他形状。
5.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：S4中所诉坩埚四周边缘可以铺设一层或多层小籽晶块。
6.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：S4中所述小籽晶块与大籽晶块的上表面晶向角度偏差大于15°。
7.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：S7中所述将硅锭进行开方，开方时可以错开籽晶接缝开方或直接连续开方。
8.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：S7中所述开方后的小方锭与切片后的硅片尺寸一致。
9.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：S6中所述坩埚为G3、G4、G5、G6、G7或G8中的任意一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建新峰二维材料科技有限公司，未经福建新峰二维材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011363122.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可简化装配的小型继电器
- 下一篇：光学视窗和激光雷达
