[发明专利]一种IGBT并联均流电路

说明书

本申请涉及一种IGBT并联均流电路，其包括第一IGBT支路电路和至少一条第二IGBT支路电路，所述第一IGBT支路电路与第二IGBT支路电路并联，第一IGBT支路电路为电流优先经过的支路电路，每一所述第二IGBT支路电路的一端导线外侧与第一IGBT支路电路的一端导线外侧均共同套设有环形的感性元件，每一所述感性元件内的第一IGBT支路电路的电流流向与第二IGBT支路电路的电流流向相反。本申请具有有助于支路中电流均流的效果。

技术领域

本申请涉及均流电路的领域，尤其是涉及一种IGBT并联均流电路。

背景技术

IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管。它融和了这两种器件的优点：既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内。IGBT在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

由于工业要求，常需要将IGBT模块并联，在IGBT并联电路中，若各支路的电阻值相等，在相同的电压下，每条支路的电流值理论上相等，但由于实际使用中的导线具有电阻，电流会优先选择阻值最小的支路，因而距离电源最近的支路中的电流最大，支路中的IGBT模块易出现损坏。常见的解决方法是从物理特性着手：由于某一IGBT模块中的电流增大会导致该模块温度上升，根据模块中电阻本身的特性，温度升高电阻会增大，在电压不变的前提下，能够自然地降低该模块的中的电流。

针对上述的相关技术，发明人认为由于电流的抄近路能力很强，尤其在高频情况下，仅仅依靠温度上升时，电阻值的上升，不足以使得各个并联支路中的电流相等，均流效果不好。

发明内容

为了有助于使得各并联的支路内电流相等，本申请提供了一种IGBT并联均流电路。

本申请提供的一种IGBT并联均流电路采用如下的技术方案：

一种IGBT并联均流电路，包括第一IGBT支路电路和至少一条第二IGBT支路电路，所述第一IGBT支路电路与第二IGBT支路电路并联，第一IGBT支路电路为电流优先经过的支路电路，每一所述第二IGBT支路电路的一端导线外侧与第一IGBT支路电路的一端导线外侧均共同套设有环形的感性元件，每一所述感性元件内的第一IGBT支路电路的电流流向与第二IGBT支路电路的电流流向相反。

通过采用上述技术方案，感性元件的作用是增强两根导线之间的磁耦合，感性元件套设在导线外侧，安装较为方便也便于更换。在均流情况下，感应元件内的磁通量为零；当第一IGBT支路电路中的电流增大时，根据互感应原理，第二IGBT支路电路的电流会产生变大的趋势，由于总电流大小不变，第一IGBT支路电路中的电流会产生变小的趋势，最终趋于平衡；当某一第二IGBT支路电路中的电流增大时，由于该第二IGBT支路电路与第一IGBT支路电路外套有感性元件，第一IGBT支路电路的电流会产生由小变大的趋势，同时，第二IGBT支路电路的电流会产生由大变小的趋势，从而使得第一IGBT支路电路和第二IGBT支路电路的电流趋于相等，从而有助于起到均流的效果。电路结构简单，工作稳定性高。

可选的，所述感性元件套设于第一IGBT支路电路和各个第二IGBT支路电路的输出端的导线外侧。

通过采用上述技术方案，便于进行电路的安装，同时也便于对感性元件进行隔离，避免感性元件的漏磁通对其他电路产生影响。

可选的，所述感性元件内第一IGBT支路电路的输出端导线和第二IGBT支路电路的输出端导线的横截面均呈直径相同的半圆形，且两根导线贴合组成一个完整的圆形，两根导线的弧形外壁均紧贴对应感性元件内壁。