[发明专利]基于高碳铬铁渣的镁橄榄石-尖晶石陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 202011363869.4 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112358288B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 赵惠忠;冯泽成;谈利强 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学;浙江父子岭特种耐火有限公司 |
主分类号: | C04B35/20 | 分类号: | C04B35/20;C04B35/622 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
地址: | 430081 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 高碳铬 铁渣 橄榄石 尖晶石 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于高碳铬铁渣的镁橄榄石-尖晶石陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下具体步骤是:
步骤一、将高碳铬铁渣置于马弗炉中,在600~700℃条件下焙烧2~3h,随炉冷却,破碎,筛分,得到粒度≤0.088mm的高碳铬铁渣细粉;
步骤二、按所述高碳铬铁渣细粉为70~80wt%、氧化镁细粉为15~25wt%和氧化铝细粉为5~15wt%配料,将所述高碳铬铁渣细粉、氧化镁细粉和氧化铝细粉置于球磨机中,球磨4~8h,得到球磨料;
步骤三、将所述球磨料预压成型,再将成型后的坯体破碎,筛分,得到粒度为180~250μm的筛分料;然后将所述筛分料在100~110MPa条件下机压成型,保压30~60s,再于110~150℃条件下干燥12~24h,得到干燥后的坯体;
步骤四、将所述干燥后的坯体置于箱式电阻炉中,先以5~7℃/min的速率升温至900~1000℃,再以3~5℃/min速率升温至1150~1250℃,保温2~3h,随炉冷却,制得基于高碳铬铁渣的镁橄榄石-尖晶石陶瓷;
所述高碳铬铁渣的化学成分:SiO2为33~37wt%,MgO为23~27wt%,Al2O3为25~27wt%,Cr2O3为7~9wt%,Fe2O3为1~4wt%,CaO为0.8~1.0wt%;
所述氧化镁细粉的化学成分:MgO为93~95wt%,SiO2为1.0~1.5wt%;所述氧化镁细粉的粒度≤0.088mm;
所述氧化铝细粉的Al2O3含量为99.0~99.5wt%;所述氧化铝细粉的粒度≤0.088mm。
2.根据权利要求1所述的基于高碳铬铁渣的镁橄榄石-尖晶石陶瓷的制备方法,其特征在于所述球磨的球料比为1∶1~1.5。
3.根据权利要求1所述的基于高碳铬铁渣的镁橄榄石-尖晶石陶瓷的制备方法,其特征在于所述预压成型:压强为5~10MPa,保压时间为30~60s。
4.一种基于高碳铬铁渣的镁橄榄石-尖晶石陶瓷,其特征在于所述基于高碳铬铁渣的镁橄榄石-尖晶石陶瓷是根据权利要求1~3项中任一项所述的基于高碳铬铁渣的镁橄榄石-尖晶石陶瓷的制备方法所制备的基于高碳铬铁渣的镁橄榄石-尖晶石陶瓷。
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