[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺

权利要求书

1.一种碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1：在碳化硅外延片表面生长淀积掩膜介质；

S2：将JFET区域表面的掩膜介质去除；

S3：对碳化硅表面JFET区域进行n型离子注入；

S4：在整个碳化硅圆片表面淀积多晶硅掩膜介质；

S5：采用表面平整化工艺，抛光去除圆片表面除JFET区域以外的多晶硅掩膜介质；

或者，对圆片表面的多晶硅层进行全片整体刻蚀，直至刻蚀到掩膜介质表面，而JFET区域有多晶硅介质留存；

S6：通过腐蚀工艺，去除之前的掩膜介质，对于器件的终端区域，通过光刻工艺，用光刻胶作掩膜保留部分掩膜介质；

S7：对碳化硅表面进行p型的p阱离子注入；

S8：通过自对准的方法，即对全片覆盖SiO₂介质后再整体刻除，从而保留多晶硅介质侧壁的部分SiO₂介质；或者直接对多晶硅介质进行自氧化生长工艺；

S9：对碳化硅表面进行n+型的离子注入，从而在p阱区域自对准地形成沟道；

S10：去除所有掩膜介质，完成整套自对准工艺，SiC圆片继续进行后续工艺。

2.根据权利要求1所述的JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于：所述S1中，掩膜介质为SiO₂、SiN、变组分Si_xN_1-x、SiON，掩膜介质厚度在0.5um至5um。

3.根据权利要求1所述的JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于：所述S2中，去除JFET区域介质的方法为氢氟酸湿法腐蚀或者BOE湿法腐蚀，根据介质厚度留足相同宽度的侧蚀余量。

4.根据权利要求1所述的JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于：所述S2中，采用干法刻蚀工艺，剩余部分介质，厚度小于500埃。

5.根据权利要求1所述的JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于：所述S3中，通过掩膜介质形成对JFET区域的单独注入。

6.根据权利要求1所述的JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于：所述S4中，淀积的多晶硅层厚度在0.5um至5um。

7.根据权利要求1所述的JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于：所述S5中，抛光去除圆片表面除JFET区域以外的多晶硅掩膜介质时，对表面平整化的片内均匀性有要求，至少正负0.5um以内。

8.根据权利要求1所述的JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于：所述S5中，对圆片表面的多晶硅层进行全片整体刻蚀，直至刻蚀到SiO₂掩膜介质表面，而JFET区域有多晶硅介质留存，其中采用的多晶硅层厚度大于SiO₂掩膜介质的厚度；JFET区域宽度小于2um；多晶硅和SiO₂刻蚀比大于3：1。