[发明专利]基于Sagnac环和I/Q探测的全光微波频移相移装置及测量方法有效

专利信息
申请号: 202011366452.3 申请日: 2020-11-29
公开(公告)号: CN112505406B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 高永胜;康博超;徐源皓;谭庆贵;贺丰收;樊养余;刘准钆 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: G01R23/02 分类号: G01R23/02;G01R25/00
代理公司: 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 代理人: 刘新琼
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 基于 sagnac 探测 微波 相移 装置 测量方法
【权利要求书】:

1.一种基于Sagnac环和I/Q探测的全光微波频移相移装置,包括激光源、DE-MZM、光耦合器、掺珥光纤放大器、双通道密集波分复用器、两个光电探测器和模数转换器,其特征在于:

所述基于Sagnac环和I/Q探测的全光微波频移相移装置,激光源的光输出端连接光耦合器的端口1,光耦合器的端口3连接至DE-MZM的光输入端口,光耦合器的端口4连接DE-MZM的光输出端口,光耦合器的端口2连接到EDFA输入端口,耦合器3口输出光信号经过DE-MZM注入耦合器端口4,耦合器端口4输出光信号经过DE-MZM注入耦合器端口3,构成了Sagnac环路,EDFA的输出端口连接双通道DWDM的公共输入端口,双通道DWDM的两个输出端口各自连接一个PD,两个PD分别连接至ADC;其中本振信号连接至DE-MZM的一个射频端口,待测射频信号连接DE-MZM的另一个射频端口;

从激光源输出的光信号通过光耦合器注入到DE-MZM中,DE-MZM的偏置点通过直流偏压进行控制;光耦合器的端口2输出的光信号通过EDFA将光信号放大后,再通过DWDM分离出上边带和下边带,上边带和下边带各自构成一路光信号,两路光信号各自进入一个PD的输入端,光电探测后得到光电流,光电流携带的多普勒频移信息或相位信息通过后端ADC处理。

2.一种利用权利要求1所述基于Sagnac环和I/Q探测的全光微波频移相移装置的测量方法,其特征在于包括下述步骤:

定义激光源输出的光信号、本振信号和待测信号分别为:

E(t)=E0exp(j2πfct) (1)

ELo(t)=VLosin(2πfLot) (2)

其中E0为激光源输出光信号的电场幅度,fc为光信号的频率,VLo是本振信号的幅度,fLo是本振信号的频率,VRF是待测信号的幅度,fRF为待测信号的频率,为待测信号的相位;经过DE-MZM输出调制后的光信号为:

其中,αM为DE-MZM的插入损耗,Vπ是调制器的半波电压,θ为DE-MZM的直流偏置引入的相位差,另一方面,由光耦合器端口4输出的另一路光载波注入到DE-MZM的输出端口,该路光信号经过Sagnac环,在光耦合器与DE-MZM输出的光信号合路,由光耦合器端口2输出,表达式为:

其中,J±n(·)是±n阶第一类贝塞尔函数,和为调制指数,将耦合器端口4输出的光信号通过EDFA进行功率放大,并将放大后的光信号注入到双通道DWDM中;对光载波的中心波长进行调节,使光载波处于DWDM两个通道中间,从而将光信号的上下边带分离成两个光通道;两个光通道输出的光信号分别表示为:

其中βE和αD分别表示EDFA的增益和DWDM的插入损耗;

经过光电探测后,每个通道中的光电二极管(PD)输出光电流分别表示为:

通过调整DE-MZM的直流偏置将θ设置为45度;则光电探测后的光电流表示为:

当应用于多普勒频移测量时,待测回波信号的多普勒频移表示为fd=fLO-fRF,经过光电探测后,得到期望的频移项:

iup(t)∝cos(2πfdt-45°) (12)

idown(t)∝cos(2πfdt+45°) (13)

利用公式(12)和(13)得到的低频DFS信号,通过ADC和数字信号处理进行ADC采样量化,进行数字信号处理计算得到DFS频移信息,通过两个通道的信号的相位差,识别不同符号的DFS;进而实现可分辨方向的多普勒频移测量。

3.根据权利要求2所述的基于Sagnac环和I/Q探测的全光微波频移相移装置的测量方法,其特征在于:

在进行射频信号相移探测时,待测射频信号和本振信号之间的相位差表示为LO信号的频率与待测射频信号的频率相等fLo=fRF;由式(10)和(11)得到,经过光电探测后,得到待测相位项:

将I路和Q路的输出结果经过模数转换后输入到DSP信号处理模块,通过公式(14)和公式(15)运算得到进而实现了相移测量。

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