[发明专利]物理方法复合诱变矮生菜豆获得生育期延长突变株的方法有效
申请号: | 202011366859.6 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112470922B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 斯琴图雅;赵弘韬;孙培琳;关荣树;张丹丹;史岩 | 申请(专利权)人: | 黑龙江省科学院技术物理研究所 |
主分类号: | A01H1/06 | 分类号: | A01H1/06 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 岳泉清 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 物理 方法 复合 诱变 生菜 获得 生育 延长 突变 | ||
1.物理方法复合诱变矮生菜豆获得生育期延长突变株的方法,其特征在于该获得生育期延长突变株的方法按照以下步骤实现:
一、将矮生食荚菜豆的干种子放置在离子注入设备中进行氮离子注入,控制氮离子注量为3×1016N+/cm2~5×1016N+/cm2,氮离子注入后的种子在田间栽培,获得M1代种子;
二、对M1代种子进行60Co-γ射线辐照处理,控制辐照剂量为80Gy,辐照处理后的种子在田间栽培,获得M2代种子;
三、将M2代种子继续栽培,经表型筛选获得生育期延长突变株,获得生育期延长的菜豆突变株。
2.根据权利要求1所述的物理方法复合诱变矮生菜豆获得生育期延长突变株的方法,其特征在于步骤一中控制注入氮离子的能量为30 keV。
3.根据权利要求1所述的物理方法复合诱变矮生菜豆获得生育期延长突变株的方法,其特征在于步骤一中控制氮离子注量为4×1016N+/cm2。
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