[发明专利]一种调控213nm激光输出功率的方法及其装置

权利要求书

1.一种调控213nm激光输出功率的方法，其特征在于，包括：

S1，设置三倍频晶体的温度；

S2，利用所述三倍频晶体输出532nm激光及355nm激光；

S3，对所述532nm激光及所述355nm激光进行和频得到213nm激光，并记录该213nm激光的输出功率；

S4，重复执行S1～S3多次，其中，每次设置所述三倍频晶体的温度不同，并记录在不同温度下所述213nm激光的输出功率，进而得到所述三倍频晶体的温度与213nm激光的输出功率的对应关系；

S5，根据所述对应关系，调节所述三倍频晶体的温度，以调控所述213nm激光的输出功率。

2.根据权利要求1所述的调控213nm激光输出功率的方法，其特征在于，所述S4包括：

S41，重复执行S1～S3多次，其中，每次设置所述三倍频晶体的温度不同，并记录在不同温度下所述213nm激光的输出功率；

S42，通过数据拟合函数处理所述S41中得到的不同温度下对应的所述213nm激光的输出功率数据，得到所述三倍频晶体的温度与213nm激光的输出功率的对应关系，其中，该对应关系为213nm激光的输出功率与所述三倍频晶体温度的多项式表达式。

3.根据权利要求1所述的调控213nm激光输出功率的方法，其特征在于，所述S3包括：

S31，利用五倍频晶体对所述532nm激光及所述355nm激光进行和频得到213nm的激光；

S32，利用佩林布洛卡棱镜将所述532nm、355nm及213nm的激光分离处理，并使得所述213nm激光的出射方向与其进入所述佩林布洛卡棱镜的入射方向垂直；

S33，记录所述213nm激光的输出功率。

4.根据权利要求1所述的调控213nm激光输出功率的方法，其特征在于，该方法还包括：S0，利用二倍频晶体将基频为1064nm激光倍频产生532nm激光，并将所述1064nm激光及532nm激光输出至所述三倍频晶体。

5.根据权利要求3所述的调控213nm激光输出功率的方法，其特征在于，所述S31中所述五倍频晶体放置在第三温控炉内，所述五倍频晶体的工作温度为120℃～160℃，并保持一温度锁定。

6.根据权利要求4所述的调控213nm激光输出功率的方法，其特征在于，所述S1中所述三倍频晶体放置在第二温控炉内，所述第二温控炉用于根据所述基频1064nm激光与所述532nm激光相位匹配温度设置所述三倍频晶体的温度。

7.根据权利要求6所述的调控213nm激光输出功率的方法，其特征在于，该方法还包括：

S2I，利用第一双色镜将所述三倍频晶体输出的所述1064nm激光透射，并反射所述532nm激光及所述355nm激光；

S2II，采用波片将所述第一双色镜输出的所述532nm激光及所述355nm激光偏振方向进行调整，以使所述532nm激光的偏振方向与所述355nm激光的偏振方向一致；

S2III，利用第二双色镜将所述波片输出的所述1064nm激光再次透射，并反射所述532nm激光及所述355nm激光；

S2IV，采用扩速镜将经过所述第二双色镜的所述532nm激光及所述355nm激光进行激光光斑面积增大，并将光斑面积增大后的所述532nm激光及所述355nm激光输出至所述五倍频晶体。

8.根据权利要求6所述的调控213nm激光输出功率的方法，其特征在于，所述三倍频晶体的工作温度范围为50～70℃。

9.根据权利要求4所述的调控213nm激光输出功率的方法，其特征在于，所述S0中所述二倍频晶体放置在第一温控炉内，所述二倍频晶体的工作温度为120℃～160℃，并保持一温度锁定。

10.一种调控213nm激光输出功率的装置，其特征在于，包括：

激光输出模块，包括三倍频晶体，用于输出532nm激光及355nm激光，并将所述532nm激光及所述355nm激光进行和频得到213nm激光；

温度控制模块，所述激光输出模块设置于所述温度控制模块内，其用于控制所述三倍频晶体的温度，以使在不同的三倍频晶体的温度下得到对应的所述213nm激光输出功率；

激光功率测试模块，用于测量所述213nm激光的输出功率；

其中，通过温度控制模块多次设置所述三倍频晶体的温度的不同温度，并记录在不同温度下所述213nm激光的输出功率，进而得到所述三倍频晶体的温度与213nm激光的输出功率的对应关系，并根据所述对应关系，调节所述三倍频晶体的温度，以调控所述213nm激光的输出功率。