[发明专利]新型台面结构芯片结构及PN终端面玻璃钝化制作工艺

权利要求书

1.新型台面结构芯片，其特征在于：所述芯片PN终端面玻璃结构包括凹槽、N型硅单晶片、正面金属电极、门极金属电极、背面金属电极，N型硅单晶片通过腐蚀形成沟槽，沟槽表面为SIPOS膜，SIPOS膜上覆盖玻璃钝化膜，所述N型硅单晶片一面为正面金属电极、门极金属电极，另一面为背面金属电极，N型硅单晶片在正面金属电极、门极金属电极一侧设有正面 P 型短基区，正面 P 型短基区内设有N⁺ 型阴极区，N型硅单晶片在背面金属电极一侧设有背面 P 型区。

2.根据权利要求1所述的新型台面结构芯片，其特征在于：所述新型台面结构芯片PN终端面玻璃钝化制作工艺，包括以下步骤：

步骤1：N型硅单晶片氧化，温度1050℃，时间100分钟，后光刻，光刻胶型号230；

步骤2：N型硅单晶片采取恒温旋转化学腐蚀法，形成沟槽，腐蚀温度7℃，旋转速度，腐蚀时间7分钟-14分钟，沟槽深度：80μm/120μm，化学腐蚀液配比：氢氟酸：冰乙酸：硝酸:=1.5:3.5:6。

3.步骤3：采取LPCVD法生长SIPOS膜，温度650℃，反应时间60分钟，硅烷：笑气比例5:1,膜厚度8000±2000Å；

步骤4：钝化区腐蚀，腐蚀温度7℃，腐蚀时间3分钟；

步骤5：采用智能电泳法，逐片在SIPOS膜表面形成玻璃钝化膜结构，电泳悬浮液配方：玻璃粉166克、异丙醇3500ml、镧溶液150ml，玻璃粉型号：GP-370（对应1200V电压芯片）；GP-390（对应2000V电压芯片）,在电泳过程中，控制软件系统通过电流取样曲线与标准曲线对比，自动判定玻璃质量是否合格，并且有实时失效告警提示，可储存追溯历史工艺状况；

步骤6：烧结：进炉温度650℃，烧结温度720±20℃，反烧结时15±5分钟，保护气体比例：氮气/氧气比例5:1；

步骤7：电压测试，电压范围1200-2500V。