[发明专利]一种焦平面倒装互连铟柱的制备方法

权利要求书

1.一种焦平面倒装互连铟柱的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

对准：将具有若干个通孔的蒸镀掩膜板与芯片进行对准并固定形成组件，所述芯片上的电极与各所述通孔对应并外露；

蒸镀：在真空环境下，采用热蒸发镀膜的方式在所述组件表面蒸镀铟膜，当所述铟膜厚度达到预定厚度后停止蒸镀；

剥离：将所述蒸镀掩膜板从所述芯片上取下，所述蒸镀掩膜板上的铟膜随掩膜板而剥离，所述通孔对应处所述电极上的铟柱得以保留，获得在电极上具有铟柱的芯片。

2.如权利要求1所述的焦平面倒装互连铟柱的制备方法，其特征在于，所述蒸镀步骤中，所述组件所处的真空度在1.0E－3Pa以下。

3.如权利要求1所述的焦平面倒装互连铟柱的制备方法，其特征在于，所述蒸镀步骤中，蒸镀的沉积速率在1nm/min以上。

4.如权利要求1所述的焦平面倒装互连铟柱的制备方法，其特征在于，所述蒸镀步骤中，所述组件全程处于旋转状态。

5.如权利要求4所述的焦平面倒装互连铟柱的制备方法，其特征在于，所述组件的旋转速率为8至12rpm/min。

6.如权利要求1至5任一项所述的焦平面倒装互连铟柱的制备方法，其特征在于，所述通孔的孔壁与所述芯片平面的夹角小于90度。

7.如权利要求1所述的焦平面倒装互连铟柱的制备方法，其特征在于，所述通孔的直径为5至15μm，所述通孔的中心之间的距离为10至35μm。

8.如权利要求1所述的焦平面倒装互连铟柱的制备方法，其特征在于，所述预定厚度为5至15μm，所述蒸镀掩膜板的厚度在15um以上。

9.如权利要求1所述的焦平面倒装互连铟柱的制备方法，其特征在于，所述蒸镀掩膜板为镍合金掩膜板或非金属掩膜板。

10.如权利要求9所述的焦平面倒装互连铟柱的制备方法，其特征在于，所述镍合金掩膜板为镍铁合金或镍铬合金，所述非金属掩膜板为石英掩膜板。

11.如权利要求1所述的焦平面倒装互连铟柱的制备方法，其特征在于，所述蒸镀掩膜板和芯片上都设有定位部，所述定位部用于蒸镀掩膜板与芯片之间的定位对准。

12.如权利要求1所述的焦平面倒装互连铟柱的制备方法，其特征在于，所述通孔的尺寸大于所述电极的尺寸。