[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202011369303.2 | 申请日: | 2020-11-30 |
公开(公告)号: | CN112909047A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 郭娜赟;姜哲圭;金大石;尹一求;李东鲜;李昭英;李知恩;赵准永;崔敏姬 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李晓伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
像素电路,设置在衬底上;以及
显示元件,位于所述像素电路上,
其中,所述像素电路包括:
第一薄膜晶体管,包括第一半导体层和与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极;
第二薄膜晶体管,包括第二半导体层和与所述第二半导体层绝缘的第二栅电极,所述第二半导体层连接至所述第一半导体层和所述第一栅电极;
第一屏蔽层,与所述第二半导体层重叠;以及
第二屏蔽层,与所述第二半导体层重叠并且堆叠在所述第一屏蔽层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,所述第二半导体层包括第一沟道区域和第二沟道区域,
其中,所述第二栅电极包括与所述第一沟道区域重叠的第一子栅电极和与所述第二沟道区域重叠的第二子栅电极,并且
其中,所述第二屏蔽层与所述第一沟道区域和所述第二沟道区域之间的一部分重叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置,
其中,所述第一子栅电极和所述第二子栅电极位于相同的层上。
4.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层包括相同的材料。
5.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层包括彼此不同的材料。
6.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,所述像素电路还包括:
电容器,包括上部电极和所述第一栅电极的作为下部电极的一部分;以及
电源电压线,连接到所述上部电极,
其中,所述上部电极与所述第一栅电极的所述一部分重叠。
7.根据权利要求6所述的显示装置,
其中,所述第一屏蔽层、所述第二屏蔽层和所述上部电极包括相同的材料。
8.根据权利要求6所述的显示装置,
其中,所述第二屏蔽层是所述电源电压线的一部分,并且
其中,所述第一屏蔽层连接到所述电源电压线。
9.根据权利要求6所述的显示装置,
其中,所述第一屏蔽层和所述上部电极包括相同的材料,并且
其中,所述第二屏蔽层和所述电源电压线包括相同的材料。
10.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,所述像素电路还包括:
电容器,包括上部电极和所述第一栅电极的作为下部电极的一部分;
电源电压线,连接到所述上部电极;以及
第三屏蔽层,堆叠在所述第二屏蔽层上,
其中,所述第二屏蔽层介于所述第一屏蔽层和所述第三屏蔽层之间,
其中,所述上部电极和所述第一屏蔽层位于相同的层上,
其中,所述上部电极与所述第一栅电极的所述一部分重叠,
其中,所述电源电压线和所述第二屏蔽层位于相同的层上,并且
其中,所述第三屏蔽层与所述第二半导体层重叠。
11.根据权利要求10所述的显示装置,还包括:
数据线,连接到所述像素电路,
其中,所述数据线和所述第三屏蔽层位于相同的层上。
12.根据权利要求11所述的显示装置,
其中,所述第一屏蔽层和所述上部电极包括相同的材料,
其中,所述第二屏蔽层和所述电源电压线包括相同的材料,并且
其中,所述第三屏蔽层和所述数据线包括相同的材料。
13.根据权利要求10所述的显示装置,
其中,所述第三屏蔽层连接到所述电源电压线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的