[发明专利]一种黄瓜单倍体加倍的方法

说明书

本发明提供了一种黄瓜单倍体加倍的方法，属于植物组织培养技术领域，包括：将黄瓜单倍胚状体的胚根埋入再生培养基中进行第一培养，得到具有第一片完整真叶的黄瓜苗；再生培养基中包括蔗糖、琼脂、6‑苄氨基嘌呤和萘乙酸；第一培养的条件：白天光照强度为3000～5000LUX，温度24～28℃；夜晚暗培养，温度20～25℃；再进行第二培养，实现黄瓜单倍体加倍；第二培养的条件：白天光照强度为5000～9000LUX，温度24～28℃；夜晚暗培养，温度20～25℃。本发明提供的方法密刺型黄瓜材料染色体自然加倍的比率可达84.7％，欧洲型材料染色体自然加倍率达到72.7％，华南型材料染色体加倍率达到71.3％。

技术领域

本发明属于植物组织培养技术领域，尤其涉及一种黄瓜单倍体加倍的方法。

背景技术

通过黄瓜未授粉子房的培养，胚囊中的单倍体细胞可培养出倍性为单倍体的胚状体，进而培养成再生植株，通常这些再生植株的染色体倍性仍是单倍体，单倍体的再生植株要经过染色体的加倍，这个加倍的双单倍体植株，可以应用于黄瓜的新品种选育，是黄瓜遗传育种中重要的育种材料。

通常单倍体植株的染色体加倍应用最多的是化学诱变法，黄瓜单倍体培养中常用的诱变剂为秋水仙素。但秋水仙素诱导加倍的方法，操作过程复杂，加倍过程时间较长，且对再生植株产生伤害，造成死苗。相关报道有关黄瓜单倍体培养再生植株自然加倍的情况，但只是针对某特定基因型的黄瓜材料 (如中国密刺型黄瓜)，且其具体方法不详。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于一种黄瓜单倍体加倍的方法，采用本发明提供的方法不会使得黄瓜死苗，可使密刺型、欧洲型和华南型黄瓜单倍体加倍。

为了实现上述发明目的，本发明提供了以下技术方案：

一种黄瓜单倍体加倍的方法，包括以下步骤：

1)将黄瓜单倍胚状体的胚根埋入再生培养基中进行第一培养，得到具有第一片完整真叶的黄瓜苗；

所述再生培养基以MS培养基为基础培养基，包括蔗糖、琼脂、6-苄氨基嘌呤和萘乙酸；

所述第一培养的条件包括：白天的光照强度为3000～5000LUX，白天的温度为24～28℃；夜晚暗培养，夜晚的温度为20～25℃；

2)将所述步骤1)得到的具有第一片完整真叶的黄瓜苗进行第二培养，实现黄瓜单倍体加倍；

所述第二培养的条件包括：白天的光照强度为5000～9000LUX，白天的温度为24～28℃；夜晚暗培养，夜晚的温度为20～25℃。

优选的，所述步骤1)黄瓜单倍胚状体至少具有1个胚芽和1个胚根 。

优选的，所述步骤1)再生培养基中蔗糖的质量百分含量为3％。

所述再生培养基中琼脂的质量百分含量为0.7～1％。

优选的，所述黄瓜包括密刺型黄瓜、欧洲型黄瓜和华南型黄瓜中的一种或几种。

优选的，所述步骤1)再生培养基中6-苄氨基嘌呤的浓度为0.05～0.5mg/L。

优选的，所述步骤1)再生培养基中6-苄氨基嘌呤的浓度为0.2mg/L。

优选的，所述步骤1)再生培养基中萘乙酸的浓度为0.01～0.1mg/L。

优选的，所述步骤1)再生培养基中萘乙酸的浓度为0.05mg/L。

优选的，所述步骤1)第一培养的条件包括：白天的光照强度为 4000LUX，白天的温度为26℃；夜晚暗培养，夜晚的温度为22℃。

优选的，所述步骤2)第二培养的条件包括：白天的光照强度为 7000LUX，白天的温度为26℃；夜晚暗培养，夜晚的温度为22℃。