[发明专利]半导体红光激光器及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体红光激光器，其特征在于，所述半导体红光激光器的电子阻挡层由受张应力的GaInP材料和受压应力的AlInP材料形成的GaInP/AlInP应变超晶格制成。

2.根据权利要求1所述的半导体红光激光器，其特征在于，所述半导体红光激光器还包括衬底、N型光限制层、N型波导层、量子肼、P型波导层、P型光限制层、P型接触层、P型电极以及N型电极；

其中，所述N型光限制层、所述N型波导层、所述量子肼、所述P型波导层、所述电子阻挡层、所述P型光限制层、所述P型接触层依序层叠设置在所述衬底的第一表面上，所述P型电极设置在所述P型接触层上，所述N型电极设置在所述衬底的与所述第一表面背对的第二表面上。

3.根据权利要求2所述的半导体红光激光器，其特征在于，所述衬底为N型GaAs衬底；和/或，所述N型光限制层为N型AlInP材料；和/或，所述N型波导层为N型AlGaInP材料；和/或，所述量子肼为GaInP材料；和/或，所述P型波导层为P型AlGaInP材料；和/或，所述P型光限制层为P型AlInP或P型AlGaAs材料；和/或，所述P型接触层为P型GaAs材料。

4.根据权利要求2或3所述的半导体红光激光器，其特征在于，所述电子阻挡层的导带高于所述P型波导层和所述P型光限制层的导带。

5.一种半导体红光激光器的制作方法，其特征在于，包括利用受张应力的GaInP材料和受压应力的AlInP材料形成的GaInP/AlInP应变超晶格制作形成所述半导体红光激光器的电子阻挡层。

6.根据权利要求5所述的半导体红光激光器的制作方法，其特征在于，在制作形成所述半导体红光激光器的电子阻挡层之前，所述制作方法还包括：提供一衬底；在所述衬底的第一表面上依序形成层叠的N型光限制层、N型波导层、量子肼以及P型波导层；

和/或，所述利用受张应力的GaInP材料和受压应力的AlInP材料形成的GaInP/AlInP应变超晶格制作形成所述半导体红光激光器的电子阻挡层具体包括：利用受张应力的GaInP材料和受压应力的AlInP材料形成的GaInP/AlInP应变超晶格在所述P型波导层上制作形成所述电子阻挡层；

和/或，在制作形成所述半导体红光激光器的电子阻挡层之后，所述制作方法还包括：在所述电子阻挡层上依序形成层叠的P型光限制层、P型接触层；在所述P型接触层上制作形成P型电极，并在所述衬底的与所述第一表面背对的第二表面上制作形成N型电极。

7.根据权利要求5所述的半导体红光激光器的制作方法，其特征在于，所述衬底为N型GaAs衬底；和/或，所述N型光限制层为N型AlInP材料；和/或，所述N型波导层为N型AlGaInP材料；和/或，所述量子肼为GaInP材料；和/或，所述P型波导层为P型AlGaInP材料；和/或，所述P型光限制层为P型AlInP或P型AlGaAs材料；和/或，所述P型接触层为P型GaAs材料。

8.根据权利要求6或7所述的半导体红光激光器的制作方法，其特征在于，所述电子阻挡层的导带高于所述P型波导层和所述P型光限制层的导带。

9.根据权利要求4所述的半导体红光激光器的制作方法，其特征在于，采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延工艺制作形成所述N型光限制层、所述N型波导层、所述量子肼、所述P型波导层、所述电子阻挡层、所述P型光限制层以及所述P型接触层。

10.一种由权利要求5或6所述的半导体红光激光器的制作方法制作形成的半导体红光激光器。