[发明专利]一种制备非金属核素标准平面源的方法

说明书

本发明属于放射监测技术领域，涉及一种制备非金属核素标准平面源的方法。所述的方法包括如下步骤：(1)采用喷涂工艺对预制备的标准平面源基体非活性区部分进行喷涂保护；(2)采用阳极氧化预处理方式对预制备的标准平面源基体活性区表面进行微孔制备，获得一定厚度微孔后，进行放射性核素吸附；(3)采用热水封闭法进行封闭处理，形成均匀、稳定的放射性平面源，经定值后作为标准平面源。利用本发明的制备非金属核素标准平面源的方法，解决了非金属核素无法采用常规电镀等方法制备标准平面源的难题，使制得标准平面源获得均匀、稳定的放射性活性区，具有免脱落沾污的特点。

技术领域

本发明属于放射监测技术领域，涉及一种制备非金属核素标准平面源的方法。

背景技术

α、β表面污染监测是涉核场所安全监测的重要组成，涉及的放射性核素广泛，如各种裂变产物、子体(¹³⁷Cs、⁹⁰Sr^-90Y)以及其它相关核素(³⁶Cl、²⁴¹Am)。

为了对这些污染对象的污染水平做出准确的测量/评估，保障操作人员的人身安全，相关单位投入了大量的监测仪器、设备(如表面污染仪、手脚沾污仪)，其有效探测面积达100cm²～1000cm²。这些设备的性能检测、校准和检定通常包含α道效率和β道探测效率。α道效率校准通常使用²⁴¹Am平面源；β道探测效率跟β粒子能量密不可分，必需在不同的能区分别进行校准/检定。其中高能区通常采用⁹⁰Sr^-90Y源，β粒子最大能量2.274MeV；中能区可采用³⁶Cl、¹⁴C、²⁰⁴Tl源；低能区可采用⁶³Ni源，β粒子最大能量65.9keV。

为了满足该类仪器的校准/检定，国内外已经开展了α、β大面积标准源的电镀方法的研究工作，成功研制出了²⁴¹Am和⁹⁰Sr^-90Y大面积标准平面源，部分满足了该类仪器α道和β道的校准/检定。而中能区部分核素，如¹⁴C、³⁶Cl等非金属核素，无法采用电镀方法制备，目前尚无成熟的标准平面源制备方法。因此，为了填补目前中能区β道探测效率校准/检定的空白，亟待发展一种新的方法，解决¹⁴C、³⁶Cl等非金属放射性核素标准平面源制备问题，以保障我国大量的表面活度测量设备的溯源难题。

发明内容

本发明的目的是提供一种制备非金属核素标准平面源的方法，以解决非金属核素无法采用常规电镀等方法制备标准平面源的难题，使制得标准平面源获得均匀、稳定的放射性活性区，具有免脱落沾污的特点。

为实现此目的，在基础的实施方案中，本发明提供一种制备非金属核素标准平面源的方法，所述的方法包括如下步骤：

(1)采用喷涂工艺对预制备的标准平面源基体非活性区部分进行喷涂保护；

(2)采用阳极氧化预处理方式对预制备的标准平面源基体活性区表面进行微孔制备，获得一定厚度微孔后，进行放射性核素吸附；

(3)采用热水封闭法进行封闭处理，形成均匀、稳定的放射性平面源，经定值后作为标准平面源。

在一种优选的实施方案中，本发明提供一种制备非金属核素标准平面源的方法，其中步骤(1)中，所述的喷涂工艺为喷金和/或喷铜，喷涂厚度为10-100μm；优选所述的喷涂工艺为喷金，喷涂厚度为40-80μm。

在一种优选的实施方案中，本发明提供一种制备非金属核素标准平面源的方法，其中步骤(2)中，所述的阳极氧化预处理顺序包括碱洗、水洗、中和、水洗、阳极氧化、水洗，

所述的碱洗用于剥离铝质基体表面氧化层，活化基体表面；