[发明专利]用于去除金属硬掩模和蚀刻后残余物的具有Cu/W相容性的水性制剂

权利要求书

1.一种用于从上面具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件的表面选择性去除所述氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的组合物，所述组合物包含至少一种氧化剂、至少一种蚀刻剂、至少一种腐蚀抑制剂、至少一种钝化剂、至少一种溶剂和至少一种络合剂，其中所述组合物基本上不含过氧化氢，其中所述至少一种腐蚀抑制剂包括选自由以下所组成的群组的物质：N-乙基吗啉-N-氧化物、N-甲基吡咯烷-N-氧化物和N-乙基吡咯烷-N-氧化物、喹啉及其衍生物、喹唑啉及其衍生物、异喹啉及其衍生物、吡嗪及其衍生物、嘧啶及其衍生物、哒嗪及其衍生物、喹喔啉及其衍生物、吩嗪及其衍生物、菲啶及其衍生物、吖啶及其衍生物和其组合，

其中所述氧化剂包括选自以下的物质：FeCl₃(水合的和未水合的)、Fe(NO₃)₃、Sr(NO₃)₂、CoF₃、FeF₃、MnF₃、过硫酸氢钾复合盐(2KHSO₅·KHSO₄·K₂SO₄)、高碘酸、碘酸、氧化钒(V)、氧化钒(IV,V)、钒酸铵、过氧单硫酸铵、亚氯酸铵(NH₄ClO₂)、氯酸铵(NH₄ClO₃)、碘酸铵(NH₄IO₃)、硝酸铵(NH₄NO₃)、过硼酸铵(NH₄BO₃)、高氯酸铵(NH₄ClO₄)、高碘酸铵(NH₄IO₃)、过硫酸铵((NH₄)₂S₂O₈)、次氯酸铵(NH₄ClO)、钨酸铵((NH₄)₁₀H₂(W₂O₇))、过硫酸钠(Na₂S₂O₈)、次氯酸钠(NaClO)、过硼酸钠、碘酸钾(KIO₃)、高锰酸钾(KMnO₄)、过硫酸钾、硝酸(HNO₃)、过硫酸钾(K₂S₂O₈)、次氯酸钾(KClO)、亚氯酸四甲基铵((N(CH₃)₄)ClO₂)、氯酸四甲基铵((N(CH₃)₄)ClO₃)、碘酸四甲基铵((N(CH₃)₄)IO₃)、过硼酸四甲基铵((N(CH₃)₄)BO₃)、高氯酸四甲基铵((N(CH₃)₄)ClO₄)、高碘酸四甲基铵((N(CH₃)₄)IO₄)、过硫酸四甲基铵((N(CH₃)₄)S₂O₈)、过氧单硫酸四丁基铵、过氧单硫酸、硝酸铁(Fe(NO₃)₃)、过乙酸(CH₃(CO)OOH)、1,4-苯醌、甲苯醌、二甲基-1,4-苯醌、四氯苯醌、阿脲和其组合，其中所述组合物的pH在0至4的范围内；并且

其中所述络合剂是β-二酮、多元酸、氨基多羧酸、膦酸、膦酸衍生物、阴离子型表面活性剂、阻垢剂聚合物或盐，所述盐包括铵或四烷基铵阳离子。