[发明专利]一种全彩半导体发光微显示器及其制造工艺

权利要求书

1.一种全彩半导体发光微显示器的制造工艺，其特征在于，包含以下过程：

在硅基底上制作驱动电路，所述驱动电路至少包含金属-氧化物半导体场效应晶体管、金属连接线和通孔，所述制作包含薄膜制造工艺、图形转移工艺和/或掺杂工艺；

在制有驱动电路的所述硅基底上通过蒸发、溅射、剥离、刻蚀、CVD、键合、批量转移和/或打印工艺制作微发光二极管，所述微发光二极管至少包含第一电极、多层非有机化合物和第二电极，所述多层非有机化合物由Ga、As、In、Al、Se、Zn、Si、P、N或C元素构成；所述微发光二极管包含有量子点LED；所述微发光二极管由所述驱动电路提供的电流所驱动，且发射第一光线；

在透明基板表面制作滤色层，所述滤色层包含若干滤色点，所述滤色点在垂直方向上覆盖所述微发光二极管，且将所述微发光二极管发射的第一光线转变为第二光线；所述滤色点包含吸收除红光之外的光的材料、吸收除绿光之外的光的材料、或吸收除蓝光之外的光的材料，由此获得的第二光线为红光、绿光或蓝光；所述滤色点包括利用有机光敏材料制造的彩色抗蚀剂，所述滤色层厚度不超过1μm；

在相邻的所述滤色点间制作遮光材料，所述遮光材料的厚度等于或小于所述滤色点的厚度；

将制造有所述滤色层的所述透明基板贴合至所述硅基底上；

所述微发光二极管制造过程包含了所述微发光二极管中蓝光材料的制作过程和荧光粉的制作过程；所述第一光线为白光，所述白光由所述微发光二极管中蓝光材料发出的蓝光及所述蓝光材料发出的蓝光激发荧光粉发出的光复合成，所述白光的光谱范围380~780nm；所述滤色点将所述白光过滤成的第二光线为红光、绿光或蓝光；

所述滤色层的制作过程包括在所述滤色层的两侧覆盖厚度不超过3μm的透明保护层，所述透明保护层为SiN_x、SiO_x或光刻胶；

所述微发光二极管具有三个公共电极，即第一公共电极、第二公共电极和第三公共电极，所有第二光线被转变为红色光的所述微发光二极管连接至所述第一公共电极、所有第二光线被转变为绿色光的所述微发光二极管连接至所述第二公共电极、所有第二光线被转变为蓝色光的所述微发光二极管连接至所述第三公共电极。

2.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述微发光二极管制造过程包括，首先在LED基板上制作LED磊晶薄膜层，用ICP工艺形成所述微发光二极管，然后将带有所述LED磊晶薄膜层的所述LED基板键合于所述硅基底上，使所述第一电极和所述第二电极对应所述硅基底的顶层金属或通孔上。

3.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述滤色点在垂直方向上完全覆盖所述微发光二极管且所述滤色点中心点位置距离所述微发光二极管中心点位置为0.5μm。

4.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述滤色层制作方法包括蒸发、溅射、光刻、显影、刻蚀、烘烤、染色、电沉积、印刷、打印、喷墨、颜料分散、激光转印。

5.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述硅基底为硅晶圆片，所述制造工艺还包括将所述硅晶圆片切割为单芯片的过程。

6.如权利要求5所述的制造工艺，其特征在于，所述切割为单芯片的过程在所述微发光二极管制作工艺之前或制作之后进行，所述切割为机械切割或激光切割。

7.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述透明基板贴合至所述硅基底的过程包含了所述透明基板通过胶水贴合于所述硅基底上的过程，胶水覆盖范围为所述透明基板的全部或四周。